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公开(公告)号：CN102844405A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180018736.6
申请日：2011-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/442 , C09K11/0883
Abstract: 本发明的一个方面提供了一种荧光物质，该荧光物质包含具有β-型Si3N4晶体结构并且由组成式Si6-zAlzOzN8-z:Eua,Mb表示的氧氮化物，其中M至少是Sr或Ba，铕(Eu)的量（a）落在0.1摩尔%至5摩尔%范围内，M的量（b）落在0.1摩尔%至10摩尔%范围内，并且铝(Al)的组成比率（z）满足0.1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102844405B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201180018736.6
申请日：2011-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/442 , C09K11/0883
Abstract: 本发明的一个方面提供了一种荧光物质，该荧光物质包含具有β-型Si3N4晶体结构并且由组成式Si6-zAlzOzN8-z:Eua,Mb表示的氧氮化物，其中M至少是Sr或Ba，铕(Eu)的量（a）落在0.1摩尔%至5摩尔%范围内，M的量（b）落在0.1摩尔%至10摩尔%范围内，并且铝(Al)的组成比率（z）满足0.1
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公开(公告)号：CN104282827B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201410318717.0
申请日：2014-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: F21V9/16 , C03B19/06 , C03B19/063 , C03B19/09 , C03B19/10 , C03B2201/06 , C03C3/066 , C09K11/025 , C09K11/54 , C09K11/65 , C09K11/703 , C09K11/7734 , F21K9/232 , F21K9/64 , F21V9/30 , F21W2101/10 , F21W2102/00 , H01L33/501 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明构思提供了一种波长转换结构、包括波长转换结构的设备及相关制造方法。该波长转换结构包括烧结体，烧结体包括波长转换材料和玻璃复合物的混合物，其中，波长转换材料包括磷光体，玻璃复合物包括ZnO‑BaO‑SiO2‑B2O3。
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公开(公告)号：CN104282827A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410318717.0
申请日：2014-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: F21V9/16 , C03B19/06 , C03B19/063 , C03B19/09 , C03B19/10 , C03B2201/06 , C03C3/066 , C09K11/025 , C09K11/54 , C09K11/65 , C09K11/703 , C09K11/7734 , F21K9/232 , F21K9/64 , F21V9/30 , F21W2101/10 , F21W2102/00 , H01L33/501 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明构思提供了一种波长转换结构、包括波长转换结构的设备及相关制造方法。该波长转换结构包括烧结体，烧结体包括波长转换材料和玻璃复合物的混合物，其中，波长转换材料包括磷光体，玻璃复合物包括ZnO-BaO-SiO2-B2O3。
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公开(公告)号：CN103314074B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201180055414.9
申请日：2011-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/502 , B22F3/02 , C09K11/0883 , C09K11/7728 , C09K11/7734 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H05B33/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 根据本发明的一个实施例，一种用于生产赛伦磷光体的方法包括：混合硅前驱体和铝前驱体并烧结混合物以形成第一烧结体；混合第一烧结体和用于活性物质的前驱体并热处理混合物以形成第二烧结体。即，根据本发明的一个实施例的用于生产赛伦磷光体的方法涉及首先形成用作主体材料的第一烧结体以稳定地确保晶体结构，然后将活性物质和第一烧结体混合，用以保持活性物质的作用而不牺牲第一烧结体的晶体结构。最后，第一烧结体的晶体结构中的活性物质位于空球位而不是位于Si或Al的位置，由此防止了第一烧结体的结晶性的下降。另外，通过上述方法生产的赛伦磷光体的晶体结构是稳定的，并且所述的赛伦磷光体在高温下展示出优异的热学稳定性，因此即使在长期操作情况下，因其缩短的寿命引起的其效率的下降仍是极其微小的。另外，包括通过上述方法生产的赛伦磷光体的发光装置封装件中的赛伦磷光体的晶体结构是稳定的，并且因此可以防止因结晶的下降而引起的亮度降低。
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公开(公告)号：CN103314074A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201180055414.9
申请日：2011-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/502 , B22F3/02 , C09K11/0883 , C09K11/7728 , C09K11/7734 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H05B33/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 根据本发明的一个实施例，一种用于生产赛伦磷光体的方法包括：混合硅前驱体和铝前驱体并烧结混合物以形成第一烧结体；混合第一烧结体和用于活性物质的前驱体并热处理混合物以形成第二烧结体。即，根据本发明的一个实施例的用于生产赛伦磷光体的方法涉及首先形成用作主体材料的第一烧结体以稳定地确保晶体结构，然后将活性物质和第一烧结体混合，用以保持活性物质的作用而不牺牲第一烧结体的晶体结构。最后，第一烧结体的晶体结构中的活性物质位于空球位而不是位于Si或Al的位置，由此防止了第一烧结体的结晶性的下降。另外，通过上述方法生产的赛伦磷光体的晶体结构是稳定的，并且所述的赛伦磷光体在高温下展示出优异的热学稳定性，因此即使在长期操作情况下，因其缩短的寿命引起的其效率的下降仍是极其微小的。另外，包括通过上述方法生产的赛伦磷光体的发光装置封装件中的赛伦磷光体的晶体结构是稳定的，并且因此可以防止因结晶的下降而引起的亮度降低。
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