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公开(公告)号：CN115915759A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210988666.7
申请日：2022-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B20/25
Abstract: 一种半导体集成电路器件，其包括：标准单元，位于衬底上；一次性可编程(OTP)存储器结构，位于所述标准单元的边缘部分处；以及编程晶体管，在与所述标准单元的设置有所述OTP存储器结构的所述边缘部分相邻的位置处位于所述标准单元外部，所述编程晶体管电连接到所述OTP存储器结构。所述OTP存储器结构包括第一反熔丝和第二反熔丝。当编程电压被施加到编程晶体管并且偏置电源电压被施加到所述OTP存储器结构时，所述第一反熔丝和所述第二反熔丝均变得短路，并且所述偏置电源电压被提供到所述标准单元。
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