公开(公告)号：CN107799155B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201710703382.8

申请日：2017-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴伦娜 ,  尹悳鸠 ,  车相彦

IPC: G11C29/00 ,  G11C29/44 ,  G11C8/10

Abstract: 一种包括列冗余的存储装置。所述存储装置包括存储单元阵列及列解码器。所述存储单元阵列包括连接到字线的多个垫。所述列解码器包括第一修复电路及第二修复电路，在所述第一修复电路中存储第一修复列地址，在所述第二修复电路中存储第二修复列地址。当所述第一修复列地址与读取命令或写入命令中的所接收列地址重合时，所述列解码器从所述多个垫中的一个垫中选择除与所述所接收列地址对应的位线之外的其他位线。当所述第二修复列地址与所述所接收列地址重合时，所述列解码器在所述多个垫中选择除与所述所接收列地址对应的所述位线之外的其他位线。根据本发明的存储装置可通过增加可使用的列冗余来提高修复效率。

公开(公告)号：CN107799155A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710703382.8

申请日：2017-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴伦娜 ,  尹悳鸠 ,  车相彦

IPC: G11C29/00 ,  G11C29/44 ,  G11C8/10

CPC classification number: G06F12/0207 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1048 ,  G11C7/12 ,  G11C8/12 ,  G11C29/42 ,  G11C29/76 ,  G11C29/785 ,  G11C2029/1204 ,  G11C2029/4402 ,  G11C8/10 ,  G11C29/44 ,  G11C29/781

Abstract: 一种包括列冗余的存储装置。所述存储装置包括存储单元阵列及列解码器。所述存储单元阵列包括连接到字线的多个垫。所述列解码器包括第一修复电路及第二修复电路，在所述第一修复电路中存储第一修复列地址，在所述第二修复电路中存储第二修复列地址。当所述第一修复列地址与读取命令或写入命令中的所接收列地址重合时，所述列解码器从所述多个垫中的一个垫中选择除与所述所接收列地址对应的位线之外的其他位线。当所述第二修复列地址与所述所接收列地址重合时，所述列解码器在所述多个垫中选择除与所述所接收列地址对应的所述位线之外的其他位线。根据本发明的存储装置可通过增加可使用的列冗余来提高修复效率。