公开(公告)号：CN1045838C

公开(公告)日：1999-10-20

申请号：CN95120640.0

申请日：1995-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹世升 ,  朴赞钟 ,  金炳喆

IPC: G11C11/407

CPC classification number: G11C11/4074 ,  G11C5/145 ,  G11C11/4085

Abstract: 一种半导体存储器器件的升压电路包括：输入确定待机状态和工作状态的芯片主时钟，并产生经过第一延迟时间启动、具有第一脉宽的检测器控制信号以及经过第二延迟时间启动、具有第二脉宽的锁存器控制信号的第一电路；对检测器控制信号和锁存器控制信号用出响应，并产生表示升高电压的电势状态的检测信号的第二电路；根据芯片主时钟产生与检测信号同时启动的升压发生器控制信号的第三电路；以及分别在待机状态和工作状态运行的第一和第二升压发生器。

公开(公告)号：CN1127919A

公开(公告)日：1996-07-31

申请号：CN95120640.0

申请日：1995-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹世升 ,  朴赞钟 ,  金炳哲

IPC: G11C11/407

CPC classification number: G11C11/4074 ,  G11C5/145 ,  G11C11/4085

Abstract: 一种半导体存储器器件的升压电路包括：输入确定待机状态和工作状态的芯片主时钟，并产生经过第一延迟时间启动、具有第一脉宽的检测器控制信号以及经过第二延迟时间启动、具有第二脉宽的锁存器控制信号的第一电路；对检测器控制信号和锁存器控制信号作出响应，并产生表示升高电压的电势状态的检测信号的第二电路；根据芯片主时钟产生与检测信号同时启动的升压发生器控制信号的第三电路；以及分别在待机状态和工作状态运行的第一和第二升压发生器。