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公开(公告)号：CN116913874A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310347730.8
申请日：2023-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768 , H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：金属硅化物层，在衬底上；以及接触插塞结构，在金属硅化物层上。接触插塞结构包括：金属图案，包括第一金属；以及第一阻挡图案，覆盖金属图案的下表面和侧壁，并接触金属硅化物层。第一阻挡图案包括第二金属。金属硅化物层包括硅、第二金属和与第二金属不同的第三金属。
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