公开(公告)号：CN116136742A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211092637.9

申请日：2022-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋沅钟 ,  金栒永 ,  金太暎

IPC: G06F3/06

Abstract: 一种存储设备包括非易失性存储器设备和存储控制器。非易失性存储器设备包括具有第一写入速度的第一存储器区域和具有不同于第一写入速度的第二写入速度的第二存储器区域。存储控制器包括内部缓冲器，并且在第一模式中优先将来自外部主机的数据存储在第一存储器区域中。存储控制器通过以下操作来控制数据迁移操作：通过多次执行读取操作‑传送操作以通过第一单元读取预先存储在第一存储器区域中的第二数据并将数据的第一单元传送到非易失性存储器设备的数据输入/输出(I/O)电路，以及通过将传送到数据I/O电路的第二数据存储在第二存储器区域中。

公开(公告)号：CN116129975A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211310177.2

申请日：2022-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋沅钟 ,  金斗铉 ,  金栒永 ,  朴一汉

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C29/42 ,  G06F11/10

Abstract: 公开了存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储控制器，在所述存储装置中执行热处理之前接收保护命令，并且通过将保护电压编程在收敛区域中来生成保护图案，在收敛区域，在所述存储装置被执行热处理之后，所述存储装置中的存储器单元的阈值电压分布收敛。