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公开(公告)号：CN117995659A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202310927238.8
申请日：2023-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/42
Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法和一种形成光致抗蚀剂图案的方法。所述制造半导体装置的方法包括：在基底上形成图案形成材料层；在图案形成材料层上形成光致抗蚀剂；对光致抗蚀剂进行曝光和显影，以形成光致抗蚀剂图案；对光致抗蚀剂图案执行第一去离子水清洗；用包括表面活性剂的清洗溶液清洗光致抗蚀剂图案；以及对光致抗蚀剂图案执行第二去离子水清洗。
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