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公开(公告)号：CN103035646A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210367959.X
申请日：2012-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/28562 , H01L21/743 , H01L21/76802 , H01L21/76846 , H01L21/76864 , H01L21/76876 , H01L21/76883 , H01L27/10891
Abstract: 本发明提供了包括含金属导线的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，其中具有沟槽；含金属阻挡层，沿沟槽的内壁延伸并定义沟槽中的布线空间，该布线空间具有沿第一方向的第一宽度；以及含金属导线，在含金属阻挡层上且在布线空间中，并包括具有沿第一方向的大约第一宽度的颗粒直径的至少一个金属颗粒。
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公开(公告)号：CN101179077A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710165725.6
申请日：2007-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11546 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11568 , H01L29/518 , H01L29/78
Abstract: 一种非易失性存储器件包括：包括有单元区和外围电路区的半导体衬底，在所述单元区上的单元栅，以及在所述外围电路区上的外围电路栅极，其中所述单元栅包括所述半导体衬底上的电荷存储绝缘层、所述电荷存储绝缘层上的栅电极以及所述栅电极上的导电层，以及所述外围电路栅极包括所述半导体衬底上的栅绝缘层、所述栅绝缘层上的半导体层、所述半导体层上的欧姆层以及所述欧姆层上的导电层。
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公开(公告)号：CN1767205A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510104111.8
申请日：2005-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/41 , H01L29/788 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L21/82345 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/11546
Abstract: 一种半导体器件包括，半导体衬底上的第一导电层，第一导电层上的包括高K－介质材料的介质层，介质层上的包括掺有P型杂质的多晶硅的第二导电层，以及第二导电层上的包括金属的第三导电层。在某些器件中，在主单元区中形成第一栅极结构，第一栅极结构包括隧道氧化物层、浮栅、第一高K－介质层和控制栅。控制栅包括掺有P型杂质的多晶硅层和金属层。在主单元区外面形成第二栅极结构，第二栅极结构包括隧道氧化物层、导电层和金属层。在外围单元区中形成第三栅极结构，第三栅极结构包括隧道氧化物、导电层和具有比导电层更窄宽度的高K－介质层。也公开了方法实施例。
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公开(公告)号：CN101179077B
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200710165725.6
申请日：2007-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11546 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11568 , H01L29/518 , H01L29/78
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：包括有单元区和外围电路区的半导体衬底，在所述单元区上的单元栅，以及在所述外围电路区上的外围电路栅极，其中所述单元栅包括所述半导体衬底上的电荷存储绝缘层、所述电荷存储绝缘层上的栅电极以及所述栅电极上的导电层，以及所述外围电路栅极包括所述半导体衬底上的栅绝缘层、所述栅绝缘层上的半导体层、所述半导体层上的欧姆层以及所述欧姆层上的导电层。
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