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公开(公告)号：CN110660434A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910575237.5
申请日：2019-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 威凯特玛娜·安格萨尼 , 林智薰
Abstract: 公开存储器装置及其操作方法。所述存储器装置可包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；补偿电阻器，电连接到存储器单元阵列。补偿电阻器可生成单元电流，其中，单元电流补偿与所述多个存储器单元中的至少一个存储器单元连接的信号线的寄生电阻器中生成的电压降。补偿电路可在接收到与存储器单元对应的地址时控制补偿电阻器的电阻的大小。补偿电路可基于将补偿电阻器的电阻的大小调节为基本等于寄生电阻器的电阻值来增大单元电流的大小。
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公开(公告)号：CN110660434B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201910575237.5
申请日：2019-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 威凯特玛娜·安格萨尼 , 林智薰
Abstract: 公开存储器装置及其操作方法。所述存储器装置可包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；补偿电阻器，电连接到存储器单元阵列。补偿电阻器可生成单元电流，其中，单元电流补偿与所述多个存储器单元中的至少一个存储器单元连接的信号线的寄生电阻器中生成的电压降。补偿电路可在接收到与存储器单元对应的地址时控制补偿电阻器的电阻的大小。补偿电路可基于将补偿电阻器的电阻的大小调节为基本等于寄生电阻器的电阻值来增大单元电流的大小。
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