半导体装置及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118431154A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202311150548.X

    申请日:2023-09-07

    Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括:设置在衬底上的第一层间绝缘层;第一导电线,其设置在第一层间绝缘层中,并具有突出到第一层间绝缘层的上侧上方的突起;蚀刻停止层,其设置在第一层间绝缘层和第一导电线上;以及穿过蚀刻停止层并与第一导电线接触的过孔件,其中蚀刻停止层包括在截面图中具有弯曲形状的第一蚀刻停止层和设置在第一蚀刻停止层上并具有厚度变化的第二蚀刻停止层。

    半导体器件及其制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118016595A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202311423533.6

    申请日:2023-10-30

    Abstract: 一种制造半导体器件的方法,包括:在衬底上形成导电图案,导电图案上分别形成有停止层,衬底包括具有第一图案密度的第一区域和具有第二图案密度的第二区域,并且第二图案密度低于第一图案密度;在导电图案上形成第一层间绝缘层;暴露第一区域上的第一层间绝缘层的至少一部分,并且在第二区域上形成光刻胶图案;蚀刻第一区域上的第一层间绝缘层的至少一部分;执行第一抛光,以暴露停止层中在第一区域上的停止层的上表面;蚀刻停止层中在第一区域上的停止层;在导电图案上形成第二层间绝缘层;以及执行第二抛光,以暴露导电图案中在第一区域上的导电图案的上表面。

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