公开(公告)号：CN111742333A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201980014452.6

申请日：2019-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜盛晧 ,  权亨达 ,  李天 ,  林润斋

IPC: G06N3/08 ,  G06N5/04 ,  G06N3/063

Abstract: 编码装置连接至深度神经网络的处理学习的学习电路，并且编码装置配置为执行编码以用于使用边缘序列重新配置深度神经网络的层中的多个边缘的连接或断开连接，其中边缘序列基于随机数序列和丢弃信息生成，丢弃信息指示包括在深度神经网络的层中的多个边缘中的连接边缘与断开连接边缘之间的比率。

公开(公告)号：CN101714326B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN200910170981.3

申请日：2009-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金年泰 ,  郑地云 ,  姜盛晧 ,  郑顺美

IPC: G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3648 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/06 ,  G09G2370/08 ,  G09G2370/14

Abstract: 本发明提供了一种共享时钟的差分信令接口、以及将输出数据驱动到显示面板的方法。所述设备包括多个驱动器电路，其中所述多个驱动器电路中的每个驱动器电路分别提供输出数据。所述设备还包括定时控制器，经由多点连接向所述多个驱动器电路提供第一时钟信号，并且经由相应的点到点连接向每个驱动器电路提供相应的差分数据信号。

公开(公告)号：CN104681408B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201410685562.4

申请日：2014-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴栽永 ,  姜盛晧 ,  金基哲 ,  李善英 ,  李汉基 ,  具本荣

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/34 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供进行表面处理工艺的方法和半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在基板中形成多个第一凹进区，该基板具有在多个第一凹进区之间的突出的有源区，该突出的有源区具有上表面和侧壁；在多个第一凹进区中形成器件隔离膜，该器件隔离膜暴露出突出的有源区的侧壁的上部分和上表面；以及在突出的有源区的暴露表面上进行第一等离子体处理，其中该等离子体处理利用包含惰性气体和氢气中至少一个的等离子体气体在小于或等于大约700℃的温度下进行。

公开(公告)号：CN104681408A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410685562.4

申请日：2014-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴栽永 ,  姜盛晧 ,  金基哲 ,  李善英 ,  李汉基 ,  具本荣

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/34 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供进行表面处理工艺的方法和半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在基板中形成多个第一凹进区，该基板具有在多个第一凹进区之间的突出的有源区，该突出的有源区具有上表面和侧壁；在多个第一凹进区中形成器件隔离膜，该器件隔离膜暴露出突出的有源区的侧壁的上部分和上表面；以及在突出的有源区的暴露表面上进行第一等离子体处理，其中该等离子体处理利用包含惰性气体和氢气中至少一个的等离子体气体在小于或等于大约700℃的温度下进行。

公开(公告)号：CN101714326A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910170981.3

申请日：2009-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金年泰 ,  郑地云 ,  姜盛晧 ,  郑顺美

IPC: G09G3/28 ,  G09G3/32 ,  G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3648 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/06 ,  G09G2370/08 ,  G09G2370/14

Abstract: 本发明提供了一种共享时钟的差分信令接口、以及将输出数据驱动到显示面板的方法。所述设备包括多个驱动器电路，其中所述多个驱动器电路中的每个驱动器电路分别提供输出数据。所述设备还包括定时控制器，经由多点连接向所述多个驱动器电路提供第一时钟信号，并且经由相应的点到点连接向每个驱动器电路提供相应的差分数据信号。

公开(公告)号：CN110557242B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201910480298.3

申请日：2019-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔东哲 ,  姜盛晧 ,  李俊熙 ,  林韩洁 ,  赵炳旭

IPC: H04L9/06

Abstract: 公开一种用于恢复数据的装置、数据收发系统和数据解扰方法。一种用于通过对加扰数据进行解扰来生成恢复数据的装置包括：线性反馈移位寄存器，被配置为：接收包括多个边沿的第一时钟并顺序地生成多个种子，其中，所述多个种子包括分别与所述多个边沿中的第一边沿至第N‑1边沿相应的第一种子至第N‑1种子(其中，N是2或大于2的自然数)；种子计算器，被配置为：通过使用第一种子计算与所述多个边沿中的第N边沿相应的第N种子；解扰器，被配置为：通过使用由线性反馈移位寄存器生成的所述多个种子和由种子计算器计算的第N种子，对加扰数据进行解扰。线性反馈移位寄存器还被配置为：通过使用第N种子生成第N+1种子。

公开(公告)号：CN110557242A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910480298.3

申请日：2019-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔东哲 ,  姜盛晧 ,  李俊熙 ,  林韩洁 ,  赵炳旭

IPC: H04L9/06

Abstract: 公开一种用于恢复数据的装置、数据收发系统和数据解扰方法。一种用于通过对加扰数据进行解扰来生成恢复数据的装置包括：线性反馈移位寄存器，被配置为：接收包括多个边沿的第一时钟并顺序地生成多个种子，其中，所述多个种子包括分别与所述多个边沿中的第一边沿至第N-1边沿相应的第一种子至第N-1种子(其中，N是2或大于2的自然数)；种子计算器，被配置为：通过使用第一种子计算与所述多个边沿中的第N边沿相应的第N种子；解扰器，被配置为：通过使用由线性反馈移位寄存器生成的所述多个种子和由种子计算器计算的第N种子，对加扰数据进行解扰。线性反馈移位寄存器还被配置为：通过使用第N种子生成第N+1种子。