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公开(公告)号：CN113675184A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110325988.9
申请日：2021-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L21/822
Abstract: 根据发明构思的一些示例实施例的集成电路包括：衬底，所述衬底包括阱，所述阱包括第一导电类型的掺杂剂；位于所述阱上的第一器件区域，所述第一器件区域在平行于所述衬底的第一方向上延伸；和位于所述阱的内部的第一隔离元件，所述第一隔离元件在所述第一方向上延伸。所述第一隔离元件包括：第一电源轨，所述第一电源轨被配置为接收电源电压；和位于所述第一电源轨与所述阱之间的第一掺杂区，所述第一掺杂区被配置成将所述电源电压从所述第一电源轨传输到所述阱，并且包括所述第一导电类型的掺杂剂。
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