公开(公告)号：CN1204063A

公开(公告)日：1999-01-06

申请号：CN98102670.2

申请日：1998-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜浩英

IPC: G02B27/28

Abstract: 本发明公开了一种用于把光栅图形转印到晶片上的曝光系统,它包括:用于产生光的光源,光传输部分和投影光学器件。光可以是具有相同振幅并在彼此垂直方向振动的单偏振或双偏振光。可以利用光源或投影光学部件产生双偏振光。其中一束偏振光能穿过可分离偏振光的反射棱镜而另一光则从可分离偏振光的反射棱镜反射。至少该双偏振光中的一个被可分离偏振光的反射棱镜传输到晶片上。

公开(公告)号：CN1092554A

公开(公告)日：1994-09-21

申请号：CN93121123.9

申请日：1993-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金鹤 ,  姜浩英

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/30 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/265

Abstract: 一种形成半导体器件微细图形的方法，使用低加速电压的电子束(1—5KeV)和甲硅烷基化工艺方法。在衬底上涂敷抗蚀剂以形成抗蚀剂膜，用电子束将抗蚀剂上表面部分作选择性曝光，然后使曝了光的抗蚀剂膜进行选择性甲硅烷基化，使抗蚀剂膜上部形成甲硅烷基化层。用甲硅烷基化层作掩模腐蚀该抗蚀剂膜，以形成抗蚀剂图形。在干法腐蚀第一阶段，甲硅烷基化层的硅和氧等离子起化学反应，形成含SiOX的腐蚀掩模。这样，就使超微细图形(0.1μm)得以制造，电子束光刻的生产率提高了。