-
公开(公告)号：CN115542656A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210651001.7
申请日：2022-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请公开了光学邻近校正方法及使用该方法制造极紫外掩模的方法。一种针对具有曲线图案的掩模有效地模仿掩模形貌效应的光学邻近校正(OPC)方法包括：通过使用电磁场模拟来生成近场的边滤波器的库；通过使用该库来生成任意角度边滤波器；对于具有曲线图案的掩模，通过使用薄掩模近似来生成第一掩模图像；判断曲线图案是否满足基准；当曲线图案满足基准时，对曲线图案执行偏斜曼哈顿化，然后通过对曲线图案的边应用任意角度边滤波器来生成第二掩模图像。
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
