公开(公告)号：CN1450643A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03128592.9

申请日：2003-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔原凤 ,  柳寅儆 ,  周齐昱

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/17 ,  Y10S977/943

Abstract: 本发明涉及一种采用碳纳米管的存储器件及其制造方法。该碳纳米管存储器件包括衬底、源极电极、漏极电极、碳纳米管、存储单元和栅极电极。源极电极与漏极电极其间有一预定间隔地设置在衬底上并被施以电压。碳纳米管将源极电极与漏极电极连接并用作电荷通道。存储单元位于碳纳米管的上方并存储来自碳纳米管的电荷。栅极电极形成得与存储单元的上表面接触并控制从碳纳米管流入存储单元的电荷量。如上所述，碳纳米管存储器件包括具有高电导率和高发射率的碳纳米管以及具有良好电荷存储能力的存储单元，因而该存储器件能够作为一种无差错的，快速且高度集成的存储器件。

公开(公告)号：CN1287459C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN03128592.9

申请日：2003-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔原凤 ,  柳寅儆 ,  周齐昱

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8232

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/17 ,  Y10S977/943

Abstract: 本发明涉及一种采用碳纳米管的存储器件及其制造方法。该碳纳米管存储器件包括衬底、源极电极、漏极电极、碳纳米管、存储单元和栅极电极。源极电极与漏极电极其间有一预定间隔地设置在衬底上并被施以电压。碳纳米管将源极电极与漏极电极连接并用作电荷通道。存储单元位于碳纳米管的上方并存储来自碳纳米管的电荷。栅极电极形成得与存储单元的上表面接触并控制从碳纳米管流入存储单元的电荷量。如上所述，碳纳米管存储器件包括具有高电导率和高发射率的碳纳米管、以及具有良好电荷存储能力的存储单元，因而该存储器件能够作为一种无差错的，快速且高度集成的存储器件。