公开(公告)号：CN119364764A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202410431957.5

申请日：2024-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴荣泽 ,  金志雄 ,  金泰勳 ,  裵敏敬 ,  白昇宰 ,  李载悳 ,  黄斗熙

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括外围电路结构和堆叠在外围电路结构上的单元结构。单元结构包括：多个栅电极，在竖直方向上彼此间隔开；沟道结构，穿过所述多个栅电极并在竖直方向上延伸，沟道结构具有靠近外围电路结构的第一端和与第一端相对的第二端；以及共源极层，覆盖沟道结构的第二端。沟道结构包括在竖直方向上延伸的沟道层，共源极层包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域包含不同导电类型的杂质，并且共源极层的第一区域连接到沟道层的至少一部分。