公开(公告)号：CN117352033A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310789150.4

申请日：2023-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴太煜 ,  吴恩惠 ,  姜智守 ,  李容基

IPC: G11C29/00 ,  G11C29/42

Abstract: 公开了半导体装置以及操作和测试存储器装置的方法。所述存储装置的操作方法包括：将测试图案编程到在正常区域中，获得关于测试图案的错误位的位置和每个错误位位置的错误计数，以及基于错误位的位置和错误计数，用冗余区域中的冗余单元修复包括在正常区域中的故障单元。

公开(公告)号：CN116386708A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211711373.0

申请日：2022-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴恩惠 ,  朴太煜 ,  姜智守 ,  李容基

IPC: G11C29/42 ,  G06F11/10

Abstract: 提供一种存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储器装置，被配置为存储原始数据；以及控制器，被配置为控制存储器装置，控制器包括：第一纠错电路，被配置为纠正原始数据的错误；以及第二纠错电路，被配置为纠正原始数据的错误，第二纠错电路的可纠正错误位的最大数量大于第一纠错电路的可纠正错误位的最大数量；映射存储器，被配置为存储由第二纠错电路生成的奇偶校验位中的至少一些，并且存储存储原始数据的存储器装置的地址；以及控制块，被配置为控制第一纠错电路、第二纠错电路和映射存储器。