公开(公告)号：CN100573825C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200510075315.3

申请日：2005-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 厄斯哈科夫·安德瑞 ,  任洵圭 ,  朴休林 ,  韩宰贤 ,  朴英敏

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/14

Abstract: 本发明提供一种为均匀地喷射供应于晶片的工程气体而改进气体分配面板结构的化学气相沉积装置及其方法。为此，本发明包含用于向工艺室内的晶片分配工程气体的喷头，该喷头包含形成多个气体喷射流路的气体分配面板，多个气体喷射流路中至少一个流路包含向气体分配面板开始流入工程气体的第一流路和为了改变通过第一流路的工程气体的流向而相对第一流路的方向按一定角度倾斜而形成的第二流路。此时，为了使工程气体通过第二流路并被扩散到更宽的面积，第二流路可以形成导槽形态。据此结构，本发明即使为了提高工艺效率而缩短气体分配面板和晶片之间的间距，也能将工程气体均匀沉积到晶片整个表面，因而具有能制造优质晶片的效果。

公开(公告)号：CN1848380A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200510075315.3

申请日：2005-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 厄斯哈科夫·安德瑞 ,  任洵圭 ,  朴休林 ,  韩宰贤 ,  朴英敏

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/14

Abstract: 本发明提供一种为均匀地喷射供应于晶片的工程气体而改进气体分配面板结构的化学气相沉积装置及其方法。为此，本发明包含用于向工艺室内的晶片分配工程气体的喷头，该喷头包含形成多个气体喷射流路的气体分配面板，多个气体喷射流路中至少一个流路包含向气体分配面板开始流入工程气体的第一流路和为了改变通过第一流路的工程气体的流向而相对第一流路的方向按一定角度倾斜而形成的第二流路。此时，为了使工程气体通过第二流路并被扩散到更宽的面积，第二流路可以形成导槽形态。据此结构，本发明即使为了提高工艺效率而缩短气体分配面板和晶片之间的间距，也能将工程气体均匀沉积到晶片整个表面，因而具有能制造优质晶片的效果。