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公开(公告)号：CN1180470C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN97118523.9
申请日：1997-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L21/28
Abstract: 制作半导体存贮器件电容器下电极的方法。在衬底上形成绝缘膜图形，具有将衬底的预定区域暴露的接触孔。在所形成膜的全表面淀积掺杂非晶硅膜。下电极图形通过光刻成形非晶硅膜而形成。通过清洗从所形成膜去除沾污和表面氧化膜。非晶硅薄层通过将清洗过的所形成膜装入保持高真空的处理室并以预定时间向处理室提供预定气体而淀积到下电极图形的表面上。在非晶硅薄层上许多硅单晶核形成并生长，进而形成具有粗糙表面的下电极。
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