公开(公告)号：CN103456770B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310219256.7

申请日：2013-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  金明宣 ,  南性真 ,  朴判贵 ,  郑会晟 ,  李来寅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/513 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种具有嵌入式应变诱导图案的半导体装置及其形成方法。在半导体装置中，第一有源区域具有第一∑形状，第二有源区域具有第二∑形状。当垂直于基底并且经过第一区域中的第一栅电极的侧表面的线被限定为第一垂直线时，当垂直于基底并且经过第二区域中的第二栅电极的侧表面的线被限定为第二垂直线时，当第一垂直线和第一沟槽之间的最短距离被限定为第一水平距离时，当第二垂直线和第二沟槽之间的最短距离被限定为第二水平距离时，第一水平距离和第二水平距离之间的差等于或小于1nm。

公开(公告)号：CN107644807A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201710831804.X

申请日：2013-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  金明宣 ,  南性真 ,  朴判贵 ,  郑会晟 ,  李来寅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/513 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种半导体装置和电子装置。在半导体装置中，第一有源区域具有第一∑形状，第二有源区域具有第二∑形状。当垂直于基底并且经过第一区域中的第一栅电极的侧表面的线被限定为第一垂直线时，当垂直于基底并且经过第二区域中的第二栅电极的侧表面的线被限定为第二垂直线时，当第一垂直线和第一沟槽之间的最短距离被限定为第一水平距离时，当第二垂直线和第二沟槽之间的最短距离被限定为第二水平距离时，第一水平距离和第二水平距离之间的差等于或小于1nm。

公开(公告)号：CN103456770A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310219256.7

申请日：2013-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  金明宣 ,  南性真 ,  朴判贵 ,  郑会晟 ,  李来寅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/513 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种具有嵌入式应变诱导图案的半导体装置及其形成方法。在半导体装置中，第一有源区域具有第一∑形状，第二有源区域具有第二∑形状。当垂直于基底并且经过第一区域中的第一栅电极的侧表面的线被限定为第一垂直线时，当垂直于基底并且经过第二区域中的第二栅电极的侧表面的线被限定为第二垂直线时，当第一垂直线和第一沟槽之间的最短距离被限定为第一水平距离时，当第二垂直线和第二沟槽之间的最短距离被限定为第二水平距离时，第一水平距离和第二水平距离之间的差等于或小于1nm。

公开(公告)号：CN107644807B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201710831804.X

申请日：2013-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  金明宣 ,  南性真 ,  朴判贵 ,  郑会晟 ,  李来寅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786

Abstract: 提供了一种半导体装置和电子装置。在半导体装置中，第一有源区域具有第一∑形状，第二有源区域具有第二∑形状。当垂直于基底并且经过第一区域中的第一栅电极的侧表面的线被限定为第一垂直线时，当垂直于基底并且经过第二区域中的第二栅电极的侧表面的线被限定为第二垂直线时，当第一垂直线和第一沟槽之间的最短距离被限定为第一水平距离时，当第二垂直线和第二沟槽之间的最短距离被限定为第二水平距离时，第一水平距离和第二水平距离之间的差等于或小于1nm。