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公开(公告)号：CN118175839A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311673320.9
申请日：2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，该有源图案设置在衬底上；栅极结构，该栅极结构设置在有源图案上；位线结构，该位线结构设置在有源图案上并且包括彼此堆叠的第一导电图案、第二导电图案和绝缘结构；下间隔物结构，该下间隔物结构设置在位线结构的侧壁上；上间隔物结构，该上间隔物结构设置在下间隔物结构上，其中，上间隔物结构设置在位线结构的侧壁的上部部分上；接触插塞结构，该接触插塞结构设置在有源图案上，其中，接触插塞结构与位线结构间隔开；以及电容器，该电容器设置在接触插塞结构上，其中，下间隔物结构包括第一间隔物和第二间隔物，该第一间隔物部分覆盖第一导电图案的侧壁并且包括空气，该第二间隔物设置在第一间隔物上。
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