公开(公告)号：CN101026129B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200710006318.0

申请日：2007-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘焕培 ,  申贤哲

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 在形成非易失性存储器件的方法中，以及在根据该方法形成的器件中，当从其中形成公共源极线的衬底的区域除去器件隔离区时，同时地除去在构图构成存储单元的层叠结构中使用的硬掩模。

公开(公告)号：CN101026129A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710006318.0

申请日：2007-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘焕培 ,  申贤哲

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 在形成非易失性存储器件的方法中，以及在根据该方法形成的器件中，当从其中形成公共源极线的衬底的区域除去器件隔离区时，同时地除去在构图构成存储单元的层叠结构中使用的硬掩模。