公开(公告)号：CN106024868B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201610126260.2

申请日：2016-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  具滋悦 ,  金相吉

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个有源图案，从基底突出；栅极结构，与多个有源图案交叉；多个源区/漏区，分别在栅极结构的相对的侧面处的多个有源图案上；源/漏接触件，与多个有源图案交叉，每个源/漏接触件共同连接到源/漏接触件下方的源区/漏区，多个源区/漏区中的每个包括第一部分和第二部分，第一部分与多个源区/漏区下方的有源图案的顶表面接触，第一部分的宽度随着距基底的距离增大而增大，第二部分从第一部分延伸，第二部分的宽度随着距基底的距离增大而减小，源/漏接触件的底表面比第一部分与第二部分之间的界面低。

公开(公告)号：CN106024868A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610126260.2

申请日：2016-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  具滋悦 ,  金相吉

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/41791

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个有源图案，从基底突出；栅极结构，与多个有源图案交叉；多个源区/漏区，分别在栅极结构的相对的侧面处的多个有源图案上；源/漏接触件，与多个有源图案交叉，每个源/漏接触件共同连接到源/漏接触件下方的源区/漏区，多个源区/漏区中的每个包括第一部分和第二部分，第一部分与多个源区/漏区下方的有源图案的顶表面接触，第一部分的宽度随着距基底的距离增大而增大，第二部分从第一部分延伸，第二部分的宽度随着距基底的距离增大而减小，源/漏接触件的底表面比第一部分与第二部分之间的界面低。