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发明公开
制造半导体器件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN116347891A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211560074.1

申请日：2022-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具永勋 , 金烔永 , 张景泰

IPC: H10B41/10 , H10B41/27 , H10B41/35 , H10B43/10 , H10B43/27 , H10B43/35 , H01L21/768

Abstract: 为了制造半导体器件，通过在衬底上逐一交替地堆叠多个第一膜和多个第二膜来形成结构。形成竖直孔以竖直地穿过该结构。形成含碳阻挡膜以共形地覆盖竖直孔的内侧壁。含碳阻挡膜与多个第一膜和多个第二膜中的一部分接触。在竖直孔中的含碳阻挡膜上形成牺牲金属膜。去除牺牲金属膜以暴露含碳阻挡膜。使用灰化工艺去除含碳阻挡膜。

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