公开(公告)号：CN109309097B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201810785583.1

申请日：2018-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟源 ,  全贤九

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/30

Abstract: 提供了一种垂直型存储器装置及其制造方法，所述装置包括：衬底，具有单元阵列区域和连接区域；栅电极层，堆叠在衬底的单元阵列区域和连接区域上，栅电极层在连接区域中形成阶梯结构；单元通道层，在单元阵列区域中，单元通道层穿过所述多个栅电极层；虚设通道层，在连接区域中，虚设通道层穿过所述多个栅电极层中的至少一个栅电极层；单元外延层，设置在单元通道层下方；以及虚设外延层，设置在虚设通道层下方，其中，虚设外延层的形状与单元外延层的形状不同。

公开(公告)号：CN109309097A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810785583.1

申请日：2018-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟源 ,  全贤九

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/115

Abstract: 提供了一种垂直型存储器装置及其制造方法，所述装置包括：衬底，具有单元阵列区域和连接区域；栅电极层，堆叠在衬底的单元阵列区域和连接区域上，栅电极层在连接区域中形成阶梯结构；单元通道层，在单元阵列区域中，单元通道层穿过所述多个栅电极层；虚设通道层，在连接区域中，虚设通道层穿过所述多个栅电极层中的至少一个栅电极层；单元外延层，设置在单元通道层下方；以及虚设外延层，设置在虚设通道层下方，其中，虚设外延层的形状与单元外延层的形状不同。