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公开(公告)号:CN1940718A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200610092790.6
申请日:2006-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F1/50 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/60 , G21K1/062 , G21K2201/061
Abstract: 一种校正半导体晶片中的临界尺寸(CD)的非一致性的方法,包括测量透射过或者反射自光掩模的多个区域中的光掩模的0级光。改变光掩模以均衡来自光掩模的0级光,使得晶片CD是一致的。可以通过例如在光掩模的后侧上形成相位光栅或者通过将遮蔽单元引入光掩模以改变光掩模的透射,来改变光掩模。