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公开(公告)号:CN118553753A
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN202410196150.8
申请日:2024-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/088 , H04N25/79 , H04N25/76
Abstract: 一种图像传感器包括:第一芯片,包括包含多个像素的像素阵列;以及第二芯片,包括配置为驱动像素阵列并处理从像素阵列输出的像素信号的外围电路,其中第一芯片和第二芯片堆叠,外围电路用多个场效应晶体管(FET)来实现,所述多个FET中的每个的至少一个沟道结构全部在同一方向上延伸。