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公开(公告)号：CN111291859A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911159633.6
申请日：2019-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种包括智能三维堆叠动态随机存取存储器架构的通用矩阵-矩阵乘法(GEMM)数据流加速器半导体电路。所述通用矩阵-矩阵乘法数据流加速器半导体电路包括：存储器存储体；外围查找表，存储在存储器存储体中；以及第一向量缓冲器，存储用作查找表中的行地址的第一向量。所述电路包括第二向量缓冲器及查找表缓冲器，第二向量缓冲器存储用作查找表中的列地址的第二向量，查找表缓冲器从查找表接收并存储查找表表项。所述电路还包括求取第一乘积与第二乘积的和的加法器以及存储所述和的输出缓冲器。查找表缓冲器确定第一向量与第二向量的乘积而不实行乘法运算。实施例包括用于减小潜伏时间的分级查找架构。累积结果以脉动方式传播。
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公开(公告)号：CN110046127B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201811532750.8
申请日：2018-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F15/78
Abstract: 根据一个一般方面，提供一种用于查找计算人工智能加速器的装置及多芯片模块。所述装置可包括存储电路裸片，所述存储电路裸片被配置成存储查找表，所述查找表将第一数据转换成第二数据。所述装置还可包括逻辑电路裸片，所述逻辑电路裸片包括组合逻辑电路，所述组合逻辑电路被配置成接收第二数据。所述装置还可包括光学通孔，所述光学通孔耦合在所述存储电路裸片与所述逻辑电路裸片之间且被配置成在所述存储电路裸片与所述逻辑电路裸片之间传输第二数据。
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公开(公告)号：CN110673980B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201910496617.X
申请日：2019-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据一个一般方面，提供了一种存储装置以及多芯片系统。存储装置可包括多个堆叠的集成电路裸片，所述多个堆叠的集成电路裸片包括存储单元裸片及逻辑裸片。存储单元裸片可被配置成将数据存储在存储地址处。逻辑裸片可包括与所述堆叠的集成电路裸片的接口且所述接口被配置成在存储单元裸片与至少一个外部器件之间传送存储器存取。逻辑裸片可包括可靠性电路，可靠性电路被配置成改善存储单元裸片内的数据错误。可靠性电路可包括备用存储器以及地址表，备用存储器被配置成存储数据，地址表被配置成将与错误相关联的存储地址映射到备用存储器。可靠性电路可被配置成判断存储器存取是否与错误相关联，且如果是，则利用备用存储器来完成存储器存取。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111291859B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201911159633.6
申请日：2019-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种包括智能三维堆叠动态随机存取存储器架构的通用矩阵‑矩阵乘法(GEMM)数据流加速器半导体电路。所述通用矩阵‑矩阵乘法数据流加速器半导体电路包括：存储器存储体；外围查找表，存储在存储器存储体中；以及第一向量缓冲器，存储用作查找表中的行地址的第一向量。所述电路包括第二向量缓冲器及查找表缓冲器，第二向量缓冲器存储用作查找表中的列地址的第二向量，查找表缓冲器从查找表接收并存储查找表表项。所述电路还包括求取第一乘积与第二乘积的和的加法器以及存储所述和的输出缓冲器。查找表缓冲器确定第一向量与第二向量的乘积而不实行乘法运算。实施例包括用于减小潜伏时间的分级查找架构。累积结果以脉动方式传播。
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公开(公告)号：CN119356934A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411218767.1
申请日：2019-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据一个一般方面，提供了一种存储装置以及多芯片系统。存储装置可包括多个堆叠的集成电路裸片，所述多个堆叠的集成电路裸片包括存储单元裸片及逻辑裸片。存储单元裸片可被配置成将数据存储在存储地址处。逻辑裸片可包括与所述堆叠的集成电路裸片的接口且所述接口被配置成在存储单元裸片与至少一个外部器件之间传送存储器存取。逻辑裸片可包括可靠性电路，可靠性电路被配置成改善存储单元裸片内的数据错误。可靠性电路可包括备用存储器以及地址表，备用存储器被配置成存储数据，地址表被配置成将与错误相关联的存储地址映射到备用存储器。可靠性电路可被配置成判断存储器存取是否与错误相关联，且如果是，则利用备用存储器来完成存储器存取。
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公开(公告)号：CN111291858A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911158714.4
申请日：2019-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种张量计算数据流加速器半导体电路。张量计算数据流加速器半导体电路包括动态随机存取存储器存储体及与动态随机存取存储器存储体相邻设置的乘法加法单元的外围阵列。乘法加法单元的外围阵列配置成形成流水线式数据流链，其中来自乘法加法单元的阵列的一个乘法加法单元的部分输出数据被馈送到乘法加法单元的阵列的另一乘法加法单元以进行数据累积。近动态随机存取存储器处理数据流加速器单元裸片可堆叠在基础裸片顶。基础裸片可与处理器或控制器相邻地设置在无源硅中间层。近动态随机存取存储器处理数据流加速器单元可并行处理部分矩阵输出数据。部分矩阵输出数据可以正向或反向方向传播。张量计算数据流加速器可实行部分矩阵转置。
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公开(公告)号：CN110673980A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910496617.X
申请日：2019-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据一个一般方面，提供了一种存储装置以及多芯片系统。存储装置可包括多个堆叠的集成电路裸片，所述多个堆叠的集成电路裸片包括存储单元裸片及逻辑裸片。存储单元裸片可被配置成将数据存储在存储地址处。逻辑裸片可包括与所述堆叠的集成电路裸片的接口且所述接口被配置成在存储单元裸片与至少一个外部器件之间传送存储器存取。逻辑裸片可包括可靠性电路，可靠性电路被配置成改善存储单元裸片内的数据错误。可靠性电路可包括备用存储器以及地址表，备用存储器被配置成存储数据，地址表被配置成将与错误相关联的存储地址映射到备用存储器。可靠性电路可被配置成判断存储器存取是否与错误相关联，且如果是，则利用备用存储器来完成存储器存取。
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公开(公告)号：CN110046127A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201811532750.8
申请日：2018-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F15/78
Abstract: 根据一个一般方面，提供一种用于查找计算人工智能加速器的装置及多芯片模块。所述装置可包括存储电路裸片，所述存储电路裸片被配置成存储查找表，所述查找表将第一数据转换成第二数据。所述装置还可包括逻辑电路裸片，所述逻辑电路裸片包括组合逻辑电路，所述组合逻辑电路被配置成接收第二数据。所述装置还可包括光学通孔，所述光学通孔耦合在所述存储电路裸片与所述逻辑电路裸片之间且被配置成在所述存储电路裸片与所述逻辑电路裸片之间传输第二数据。
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