公开(公告)号：CN112306400A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010757922.2

申请日：2020-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁相元 ,  柳辰秀 ,  曹贤圭

IPC: G06F3/06

Abstract: 一种存储装置的操作方法，该存储装置被配置为通过接口通道与外部装置通信，该存储装置的操作方法包括：从外部装置接收多个限制水平中的第一限制水平的指示符；基于包括多个限制水平与多个限制性能之间的关系的限制预定表(PDT)设置第一操作参数，使得接口通道具有多个限制性能之中的第一限制性能，第一限制性能对应于第一限制水平；通过具有第一限制性能的接口通道从外部装置接收第一输入/输出(I/O)请求，其中通过设置第一操作参数而导致第一限制性能；以及通过具有第一限制性能的接口通道处理对应于第一I/O请求的第一操作。

公开(公告)号：CN109542336A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811105439.5

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤哲 ,  宋永弼 ,  丁相元

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F3/0659 ,  G06F3/0613 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/061

Abstract: 存储设备和操作包括非易失性存储器在内的存储设备的方法。该方法包括：从在存储设备的任务队列中排队的多个任务中选择第一任务；确定第一任务的模式是否与先前执行的任务的模式相同；以及根据确定的结果来确定第一任务的执行顺序。任务的模式和区域地址可以用来将任务分组以允许编程数据的交织。

公开(公告)号：CN118245403A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311787837.0

申请日：2023-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁相元 ,  金仁洙 ,  赵㳘基

IPC: G06F13/16

Abstract: 一种存储控制器，包括：队列监控电路，被配置为生成关于写入命令和读取命令中每一个的队列深度(QD)的监控信息；浪涌检测电路，被配置为基于监控信息生成逐个命令的浪涌信息；优先级确定电路，被配置为根据逐个命令的浪涌信息生成优先级确定信息，优先级确定信息指示写入命令、读取命令和默认值中的任一个；以及优先级反映电路，被配置为根据优先级确定信息可变地设置写入命令的优先级和读取命令的优先级中的每一个。

公开(公告)号：CN111309517A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201910840852.4

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴信镐 ,  权珉彻 ,  文相权 ,  丁相元

IPC: G06F11/14

Abstract: 非易失性存储器设备包括存储器单元阵列中的多级单元，所述存储器单元阵列包括多个存储器块，并且所述存储器块中的每一个包括多个页。操作非易失性存储器设备的方法包括：在存储器块的预编程块中预编程多位数据，基于指示多级单元的状态的状态代码将多级单元划分为多个状态组，以生成指示对应于状态组的状态组代码的摘要数据，并且在存储器块的摘要块中编程摘要数据。

公开(公告)号：CN110795362A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910692796.4

申请日：2019-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁相元 ,  吴信镐 ,  咸东勋

IPC: G06F12/02

Abstract: 一种存储设备可以包括：监视模块，监视包括在非易失性存储器的单元阵列中的多个块的特性劣化速率；组管理模块，基于所述监视模块的监视结果将所述多个块指定为一个或更多个组；刷新周期管理模块，确定所述一个或更多个组中的每个组的刷新周期；以及处理器，根据所确定的刷新周期对所述一个或更多个组执行刷新。

公开(公告)号：CN110795362B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201910692796.4

申请日：2019-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁相元 ,  吴信镐 ,  咸东勋

IPC: G06F12/02

Abstract: 一种存储设备可以包括：监视模块，监视包括在非易失性存储器的单元阵列中的多个块的特性劣化速率；组管理模块，基于所述监视模块的监视结果将所述多个块指定为一个或更多个组；刷新周期管理模块，确定所述一个或更多个组中的每个组的刷新周期；以及处理器，根据所确定的刷新周期对所述一个或更多个组执行刷新。

公开(公告)号：CN119739559A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411604756.7

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴信镐 ,  权珉彻 ,  文相权 ,  丁相元

IPC: G06F11/14

Abstract: 非易失性存储器设备包括存储器单元阵列中的多级单元，所述存储器单元阵列包括多个存储器块，并且所述存储器块中的每一个包括多个页。操作非易失性存储器设备的方法包括：在存储器块的预编程块中预编程多位数据，基于指示多级单元的状态的状态代码将多级单元划分为多个状态组，以生成指示对应于状态组的状态组代码的摘要数据，并且在存储器块的摘要块中编程摘要数据。

公开(公告)号：CN109542336B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201811105439.5

申请日：2018-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤哲 ,  宋永弼 ,  丁相元

IPC: G06F3/06

Abstract: 存储设备和操作包括非易失性存储器在内的存储设备的方法。该方法包括：从在存储设备的任务队列中排队的多个任务中选择第一任务；确定第一任务的模式是否与先前执行的任务的模式相同；以及根据确定的结果来确定第一任务的执行顺序。任务的模式和区域地址可以用来将任务分组以允许编程数据的交织。

公开(公告)号：CN115033498A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202111414963.2

申请日：2021-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁相元 ,  权珉彻

IPC: G06F12/02 ,  G06F12/10

Abstract: 公开了一种存储装置、存储装置的操作方法及包括该存储装置的电子装置。该方法包括：在所述存储装置处，向外部主机装置提供所述多个非易失性存储芯片中的每一个非易失性存储芯片的容量的信息；在所述存储装置处，从所述外部主机装置接收多个组的信息；在接收到所述多个组的信息之后执行复位；在执行所述复位之后，将所述多个非易失性存储芯片配置为对应于所述多个组；以及在所述存储装置处，将所述多个非易失性存储芯片与所述多个组进行映射。

公开(公告)号：CN111309517B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN201910840852.4

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴信镐 ,  权珉彻 ,  文相权 ,  丁相元

IPC: G06F11/14

Abstract: 非易失性存储器设备包括存储器单元阵列中的多级单元，所述存储器单元阵列包括多个存储器块，并且所述存储器块中的每一个包括多个页。操作非易失性存储器设备的方法包括：在存储器块的预编程块中预编程多位数据，基于指示多级单元的状态的状态代码将多级单元划分为多个状态组，以生成指示对应于状态组的状态组代码的摘要数据，并且在存储器块的摘要块中编程摘要数据。