公开(公告)号：CN118136682A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202311634723.2

申请日：2023-12-01

Applicant: 三星显示有限公司 ,  汉阳大学校 ERICA 产学协力团

Inventor： 朴晙晳 ,  塞伦特·吴 ,  金秀贤 ,  李泰昊 ,  金明花 ,  林俊亨

IPC: H01L29/786 ,  H10K59/121

Abstract: 提供一种晶体管和包括该晶体管的显示面板。该晶体管包括：第一电极；有源层，设置在第一电极下方并且具有位于源区、漏区以及与第一电极重叠的有源区中的包含至少一个孔的孔图案；以及第二电极，设置在有源层下方。第一电极和第二电极中的至少一个与孔图案重叠。这样，可以减小晶体管的面积，从而实现具有窄边框的显示面板并且减小寄生电容。

公开(公告)号：CN114203766A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111061244.7

申请日：2021-09-10

Applicant: 三星显示有限公司 ,  汉阳大学校 ERICA产学协力团

Inventor： 崔惠临 ,  塞伦特·吴 ,  金基桓 ,  朴晙晳 ,  李知桓 ,  林俊亨

IPC: H01L27/32

Abstract: 本发明提供了显示装置。本发明的实施例提供了包括基板以及位于基板上的晶体管的显示装置。晶体管包括：下层，具有导电性并且包括主体部分和多个突起；氧化物半导体层，包括沟道区、设置在沟道区的第一侧处的第一导电区以及设置在沟道区的第二侧处的第二导电区，其中第二侧与第一侧相对；栅电极，在平面图中与沟道区重叠；第一电极，电连接到第一导电区；以及第二电极，电连接到第二导电区。多个突起从主体部分突出，并且主体部分在平面图中与沟道区重叠。

公开(公告)号：CN116504786A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310063233.5

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  汉阳大学校ERICA产学协力团

Inventor： 朴晙晳 ,  塞伦特·吴 ,  金基桓 ,  金明花 ,  金旻九 ,  林俊亨

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H10K59/121 ,  H10K71/00

Abstract: 公开了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、阻挡层以及在阻挡层上的开关晶体管和驱动晶体管，阻挡层在衬底上并且包括在朝向衬底的方向上凹陷的沟槽区域和围绕沟槽区域并具有平坦的上表面的平坦区域。开关晶体管包括第一有源层、第一栅电极以及第一上电极和第二上电极，第一有源层在阻挡层上，第一有源层的至少一部分位于沟槽区域处，第一有源层包括沟道区域以及在沟道区域的相对侧处的源区域和漏区域，第一栅电极在第一有源层上，第一上电极和第二上电极在第一有源层上并且连接到第一有源层。

公开(公告)号：CN113963654A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202110749364.X

申请日：2021-07-02

Applicant: 三星显示有限公司 ,  汉阳大学校 ERICA 产学协力团

Inventor： 朴晙晳 ,  塞伦特·吴 ,  金明花 ,  金秀贤 ,  崔荣峻 ,  林俊亨

IPC: G09G3/32 ,  G09G3/3208 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明提供了一种显示装置。该显示装置可以包括：基板；阻挡层，设置在基板上，并且具有沟槽；有源图案，设置在阻挡层上，由氧化物半导体形成，并且包括沿着沟槽的轮廓向下突出的沟道区以及分别设置在沟道区的各端处的源区和漏区；栅电极，设置在有源图案上，并且与沟道区重叠；源电极，设置在栅电极上，并且与源区电连接；以及漏电极，设置在栅电极上，并且与漏区电连接。

公开(公告)号：CN219321354U

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202320115126.8

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  汉阳大学校ERICA产学协力团

Inventor： 朴晙晳 ,  塞伦特·吴 ,  金基桓 ,  金明花 ,  金旻九 ,  林俊亨

IPC: H01L27/12 ,  H10K59/12 ,  H10K71/00 ,  G09F9/33

Abstract: 公开了显示装置。显示装置包括衬底、阻挡层以及在阻挡层上的开关晶体管和驱动晶体管，阻挡层在衬底上并且包括在朝向衬底的方向上凹陷的沟槽区域和围绕沟槽区域并具有平坦的上表面的平坦区域。开关晶体管包括第一有源层、第一栅电极以及第一上电极和第二上电极，第一有源层在阻挡层上，第一有源层的至少一部分位于沟槽区域处，第一有源层包括沟道区域以及在沟道区域的相对侧处的源区域和漏区域，第一栅电极在第一有源层上，第一上电极和第二上电极在第一有源层上并且连接到第一有源层。

公开(公告)号：CN220692026U

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202322067664.7

申请日：2023-08-03

Applicant: 三星显示有限公司 ,  汉阳大学校ERICA产学协力团

Inventor： 朴晙晳 ,  塞伦特·吴 ,  金秀贤 ,  李泰昊 ,  崔惠临 ,  林俊亨

IPC: H01L27/12

Abstract: 本申请涉及显示设备。根据实施方式，显示设备包括：第一电容器电极，设置在衬底上以包括第一导电层和设置在第一导电层上的第二导电层；缓冲层，设置在第一电容器电极上；第二电容器电极，设置在缓冲层上；驱动晶体管，设置在衬底上；以及存储电容器，设置在衬底上并且电连接到驱动晶体管，其中，第一电容器电极包括取决于设置在第一导电层上的第二导电层的图案的凹部分和凸部分，缓冲层和第二电容器电极各自包括与第一电容器电极的凹部分和凸部分对应的突出部和凹陷部，并且第一电容器电极和第二电容器电极形成存储电容器的两个电极。