发光元件
    1.
    发明公开
    发光元件 审中-实审

    公开(公告)号:CN115915886A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211175060.8

    申请日:2022-09-26

    Abstract: 公开了发光元件。该发光元件包括第一电极、设置在第一电极上的空穴传输区域、设置在空穴传输区域上的发射层、设置在发射层上且包含电子传输层和设置在电子传输层上的电子注入层的电子传输区域以及设置在电子传输区域上的第二电极,其中,电子注入层包括由式A或式B表示的主体以及金属掺杂剂,并且金属掺杂剂包括Ag、Bi、Mg、Li、Yb、Cu、La、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm或Lu,从而改善电子注入特性且具有优异或合适的发光效率。

    发光元件以及包括该发光元件的电子装置

    公开(公告)号:CN116896910A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310153721.5

    申请日:2023-02-17

    Abstract: 提供一种发光元件以及包括该发光元件的电子装置,所述发光元件包括:第一电极;第二电极,与所述第一电极对向;以及中间层,布置在所述第一电极与所述第二电极之间,其中,所述中间层包括:m个发光单元;以及m‑1个电荷产生单元(charge generation unit),布置在所述m个发光单元中的彼此相邻的两个发光单元之间,其中,m为2以上的整数,所述m‑1个电荷产生单元中的至少一个包括n型电荷产生层、第一p型电荷产生层以及第二p型电荷产生层,其中,所述第二p型电荷产生层的带隙(band gap)大于所述第一p型电荷产生层的带隙。

    发光装置
    3.
    发明公开
    发光装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116234348A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202211534125.3

    申请日:2022-12-01

    Abstract: 本发明涉及发光装置。该发光装置包括:第一电极;在平面图中与第一电极重叠的第二电极;以及设置在第一电极和第二电极之间的发光部件。第二电极包括设置在发光部件上并且包括第一有机材料的第一层,和设置在第一层上并且包括第一金属的金属薄膜层。发光部件包括发射层、设置在第一电极和发射层之间的空穴传输区,以及设置在发射层和第二电极之间的电子传输区。第一层设置在电子传输区上。

    显示装置
    4.
    发明公开
    显示装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116137785A

    公开(公告)日:2023-05-19

    申请号:CN202211461127.4

    申请日:2022-11-16

    Abstract: 本发明涉及显示装置。显示装置包括位于基板上的晶体管和电连接至晶体管的发光装置。发光装置包括:第一电极;与第一电极重叠的第二电极;位于第一电极和第二电极之间的m个发射部件;以及设置在m个发射部件的相邻的发射部件之间的m‑1个电荷生成层。电荷生成层中的每一个包括n‑型电荷生成层和p‑型电荷生成层,并且n‑型电荷生成层可包括由化学式1表示的化合物:

    钙钛矿薄膜形成方法及包括用该方法制造的层的发光元件

    公开(公告)号:CN115207218A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202111545303.8

    申请日:2021-12-16

    Abstract: 公开一种钙钛矿薄膜形成方法及包括用该方法制造的层的发光元件。所述钙钛矿薄膜形成方法,包括如下步骤:准备基板;通过包括内部喷嘴以及外部喷嘴的双重喷嘴的所述内部喷嘴喷洒钙钛矿化合物第一前体的第一溶液;通过所述外部喷嘴喷洒钙钛矿化合物第二前体的第二溶液;钙钛矿化合物第一前体的所述第一溶液与钙钛矿化合物第二前体的所述第二溶液反应形成而钙钛矿化合物溶液;所述钙钛矿化合物溶液在所述基板上形成膜;以及所述钙钛矿化合物溶液的溶剂从形成于所述基板上的膜蒸发。

    有机发光二极管及包括其的显示设备

    公开(公告)号:CN114678398A

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202111529504.9

    申请日:2021-12-14

    Abstract: 本公开涉及有机发光二极管及包括其的显示设备。该显示设备包括:像素电极,设置在基板上;相对电极,设置成面对像素电极;第一发射层和第二发射层,第二发射层设置在第一发射层上,并且第一发射层和第二发射层在像素电极和相对电极之间彼此重叠;以及电荷产生层,设置在第一发射层和第二发射层之间,其中,电荷产生层包括n型电荷产生层、p型电荷产生层和设置在n型电荷产生层和p型电荷产生层之间的金属间层,以及金属间层包括具有约‑6.0eV至约‑3.5eV的功函数的金属。

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