发光器件和包括该发光器件的显示装置

    公开(公告)号:CN117956829A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202311398679.X

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 公开了一种发光器件和包括该发光器件的显示装置。该发光器件包括第一电极、位于第一电极处(例如,上)的空穴传输区域、位于空穴传输区域处(例如,上)的发光层、位于发光层处(例如,上)的电子传输区域和位于电子传输区域处(例如,上)的第二电极。电子传输区域包括其中混合有由式1表示的第一化合物以及与第一化合物不同并且由式2表示的第二化合物的混合层。混合层被构造为使得可以增强或改善发光器件的发光效率和器件寿命。

    发光器件和包括该发光器件的平板显示设备

    公开(公告)号:CN111697031A

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN202010161784.1

    申请日:2020-03-10

    Abstract: 提供了一种发光器件和一种包括该发光器件的平板显示设备。所述发光器件包括:多个第一电极,分别位于第一子像素、第二子像素和第三子像素中;第二电极,面对所述多个第一电极;第一发射层,位于第一子像素中,并被配置为发射第一颜色光;第二发射层,位于第二子像素中,并被配置为发射第二颜色光;第一层,关于第一子像素、第二子像素和第三子像素是集成的;第一辅助层,位于第一层与第一发射层之间;以及第一中间层,位于第一辅助层与第一发射层之间。第一发射层包括第一主体和第一掺杂剂。第一掺杂剂被配置为发射具有大约35nm或更大的半峰全宽(FWHM)的光。

    发光装置和平板显示设备

    公开(公告)号:CN109686849B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN201811219962.0

    申请日:2018-10-19

    Abstract: 提供发光装置和平板显示设备。发光装置包括:第一电极,分别在第一子像素、第二子像素和第三子像素上;第二电极,面向第一电极;第一发射层,在第一子像素上以发射第一颜色光;第二发射层,在第二子像素上以发射第二颜色光;第一层,与第一子像素、第二子像素和第三子像素集成;第一辅助层,在第一层与第一发射层之间;第一中间层,在第一辅助层与第一发射层之间。第一中间层的最高占据分子轨道(HOMO)能级的绝对值比第一辅助层的HOMO能级的绝对值大,并比第一发射层的HOMO能级的绝对值小。第一中间层的最低未占据分子轨道(LOMO)能级的绝对值比第一辅助层的LUMO能级的绝对值大,并比第一发射层的LUMO能级的绝对值小。

    发光装置
    7.
    发明公开
    发光装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116669450A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310115504.7

    申请日:2023-02-15

    Abstract: 本发明涉及发光装置。发光装置包括:第一电极;面向第一电极的第二电极;以及布置在第一电极和第二电极之间的夹层,夹层包括发射层,其中夹层包括由奇数个层组成的多层膜,并且多层膜通过交替堆叠彼此具有不同折射率的层来形成。

    发光装置
    8.
    发明公开
    发光装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116234344A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202211384760.8

    申请日:2022-11-07

    Abstract: 本发明提供了发光装置。该发光装置包括夹层,该夹层包括第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层,其中第一空穴传输层包括第一空穴传输化合物和第一p‑掺杂剂化合物,第二空穴传输层包括第二空穴传输化合物和第二p‑掺杂剂化合物,第三空穴传输层包括第三空穴传输化合物并且不包括p‑掺杂剂,并且第二p‑掺杂剂化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能量的绝对值大于第一p‑掺杂剂化合物的LUMO能量的绝对值。

    有机发光装置和包括其的电子设备

    公开(公告)号:CN117062455A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202310512928.7

    申请日:2023-05-08

    Abstract: 实施方式提供了有机发光装置和包括其的电子设备。该有机发光装置包括第一电极、面向第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层。发射层包括第一化合物、第二化合物、第三化合物和第四化合物,第一化合物为空穴传输主体,第二化合物为电子传输主体,第三化合物为Pt复合物,并且第四化合物为含有卤基的Ir复合物。

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