显示装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113707691B

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202110559654.8

    申请日:2021-05-21

    Abstract: 显示装置包括:包括第一聚合物膜的基底基板;在基底基板上且包括第一沟道区的有源图案;以及与第一沟道区重叠的第一栅电极,其中第一聚合物膜在与第一沟道区重叠的第一区域中具有第一厚度,并且在不同于第一区域的第二区域中具有小于第一厚度的第二厚度。

    显示装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115732511A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202211017857.5

    申请日:2022-08-24

    Abstract: 本公开涉及一种显示装置,所述显示装置包括:基底;半导体层,设置在所述基底上并且包括驱动晶体管的沟道、第一区和第二区以及第二晶体管的沟道、第一区和第二区;第一栅极绝缘层,设置在所述半导体层上;所述第二晶体管的栅极电极,设置在所述第一栅极绝缘层上并且与所述第二晶体管的所述沟道重叠;第二栅极绝缘层,设置在所述第二晶体管的所述栅极电极上;以及所述第一驱动晶体管的栅极电极,设置在所述第二栅极绝缘层上并且与所述驱动晶体管的所述沟道重叠。

    具有柔性基板的有机发光显示装置

    公开(公告)号:CN107958924B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN201810004632.3

    申请日:2014-05-21

    Abstract: 公开了一种制造有机发光显示装置的方法。所述方法包括:制备载体基板;在所述载体基板上形成母柔性基板,所述母柔性基板包括顺序堆叠的第一塑料层、被图案化以具有岛型的防止水和氧气渗透的第一阻挡层、以及第二塑料层;在所述母柔性基板上的与所述第一阻挡层被图案化的区域对应的位置处形成多个有机发光设备层;形成封装所述多个有机发光设备层的薄膜封装层;以及将所述载体基板从所述母柔性基板分离。

    可折叠显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN106548713A

    公开(公告)日:2017-03-29

    申请号:CN201610833746.X

    申请日:2016-09-20

    Inventor: 李在燮 表莹信

    Abstract: 公开了可折叠显示装置及其制造方法,可折叠显示装置包括柔性显示面板和壳。柔性显示面板包括保护膜,并且壳支承柔性显示面板。保护膜的折叠部包括固化区,该固化区比保护膜的其它区域硬化得更强。

    显示装置
    7.
    发明公开
    显示装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119317314A

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202411392942.9

    申请日:2021-05-21

    Abstract: 显示装置包括:包括第一聚合物膜的基底基板;在基底基板上且包括第一沟道区的有源图案;以及与第一沟道区重叠的第一栅电极,其中第一聚合物膜在与第一沟道区重叠的第一区域中具有第一厚度,并且在不同于第一区域的第二区域中具有小于第一厚度的第二厚度。

    显示装置
    8.
    发明公开
    显示装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115641807A

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202210851216.3

    申请日:2022-07-19

    Abstract: 本发明提供了显示装置。该显示装置包括:第一晶体管;第二晶体管,电连接到第一晶体管;n个第三晶体管,电连接到第一晶体管的栅极并且彼此串联连接;电容器,被配置为以与数据信号相对应的电压被充电;以及发光元件,其中,n个第三晶体管中的每一个包括包含沟道区、源区和漏区的半导体区以及与沟道区重叠的栅极,其中,较靠近第一晶体管的栅极并且属于最靠近第一晶体管的栅极的第三晶体管的源区或漏区包括第一区以及在第一区与沟道区之间的第二区,第二区具有比第一区的掺杂浓度低的掺杂浓度并且具有比第一区的宽度小的宽度。

    发光显示装置及其制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113363290A

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202110230983.8

    申请日:2021-03-02

    Abstract: 本申请涉及发光显示装置及其制造方法。该发光显示装置包括:发光元件;连接到扫描线的第二晶体管;将电流施加到发光元件的第一晶体管;连接到第一晶体管的栅电极的电容器;以及连接到第一晶体管的输出电极和第一晶体管的栅电极的第三晶体管。第二晶体管的沟道、第一晶体管的沟道和第三晶体管的沟道被布置在多晶半导体层中,并且第三晶体管的沟道的宽度在约1μm至约2μm的范围内,并且第三晶体管的沟道的长度在约1μm至约2.5μm的范围内。

    有机发光二极管显示器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111009557A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201910940709.2

    申请日:2019-09-30

    Abstract: 本公开涉及有机发光二极管显示器,根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括:基底;第一缓冲层,所述第一缓冲层在所述基底上;第一半导体层,所述第一半导体层在所述第一缓冲层上;第一栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层在所述第一半导体层上;第一栅电极和阻挡层,所述第一栅电极和所述阻挡层在所述第一栅极绝缘层上;第二缓冲层,所述第二缓冲层在所述第一栅电极上;第二半导体层,所述第二半导体层在所述第二缓冲层上;第二栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层在所述第二半导体层上;以及第二栅电极,所述第二栅电极在所述第二栅极绝缘层上。

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