-
公开(公告)号：CN111474765B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202010068462.2
申请日：2020-01-21
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: G02F1/13357
Abstract: 本申请涉及背光单元，所述背光单元包括光引导层，所述光引导层具有光在其上入射的入射表面和从其中发射的出射表面；光源，其设置在所述光引导层的所述入射表面上并且被配置成产生所述光；低折射层，其设置在所述光引导层的所述出射表面上；颜色控制层，其设置在所述低折射层上；以及保护层，其设置在所述颜色控制层上。所述保护层包含树脂组合物，所述树脂组合物包含由式1表示的第一重复单元：[式1]#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN119947492A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411526843.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/38 , G09F9/33 , H10K59/12 , H10K59/122 , H10K71/00
Abstract: 本发明涉及光控制构件、包括光控制构件的显示装置以及显示装置的制造方法。根据本公开的实施方式的光控制构件包括基底层、设置在基底层上的隔离壁部分(其中多个开孔部分限定在隔离壁部分中)、设置在多个开孔部分中的多个光控制图案以及设置在基底层和多个光控制图案之间并且包括由式1表示的第一化合物的表面改性层。[式1]*‑(R1)2Si‑L1‑R2‑L2‑R3。
-
公开(公告)号：CN116904182A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310382312.2
申请日：2023-04-11
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了量子点、制造量子点的方法、光学构件和电子设备。量子点可以包括核和覆盖核的至少一部分的壳，其中核可以包括铟(In)、镓(Ga)和磷(P)，壳可以包括第II‑VI族半导体化合物、第III‑V族半导体化合物、第III‑VI族半导体化合物或它们的组合，在核和壳中，Ga的摩尔数相对于In的摩尔数和Ga的摩尔数的总和之比(MGa/(MIn+MGa))可以在约0.02至约0.18的范围内，并且在核和壳中，In的摩尔数和Ga的摩尔数的总和相对于P的摩尔数之比((MIn+MGa)/MP)可以在约1至约1.2的范围内。
-
公开(公告)号：CN118895063A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410536514.2
申请日：2024-04-30
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: C09D11/101 , C09D11/03 , C09D11/30 , C09D11/38 , G02F1/1343
Abstract: 实施方式提供油墨组合物和显示装置。油墨组合物包括量子点、为丙烯酸酯类单体的第一单体、第二单体、散射体和引发剂。第二单体由式1或式1‑A表示，其在说明书中解释：[式1]#imgabs0#式1‑A#imgabs1#
-
公开(公告)号：CN118440686A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410131842.4
申请日：2024-01-31
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供了一种包括量子点和位于所述量子点的表面上的量子点配体的量子点复合物、油墨组合物、发光装置、光学构件和设备。所述量子点配体包括：亲水连接部分，包括一个或多个氧原子；键合部分，连接到所述亲水连接部分的一侧并且包括键合到所述量子点的不同的官能团；以及末端部分，在与所述键合部分相对的一侧连接到所述亲水连接部分。所述量子点配体被配置为防止或减少量子点的聚集并且改善它们在溶剂中的分散，由此改善利用所述量子点复合物的电子设备的耐光性和/或耐热性。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN114806540A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210030114.5
申请日：2022-01-12
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 本发明提供了一种量子点以及包含该量子点的油墨组合物、电子器件和光学构件，该量子点包括：核，其包含第一半导体的晶体；壳，其位于核上并且包含至少一种第二半导体的晶体；第一区域，其位于壳上并且包含第一配体；和外层，其位于第一区域上并且包含含有金属和极性有机基团的低聚物或聚合物。
-
公开(公告)号：CN113461584A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110334144.0
申请日：2021-03-29
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: C07D207/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 提供了由式1表示且具有零维非钙钛矿结构的有机金属卤化物化合物，以及各自包括该有机金属卤化物化合物的发光装置、光学构件和设备。该发光装置可包括第一电极、面向第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的发射层，其中发射层包括该有机金属卤化物化合物。
-
公开(公告)号：CN117987139A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311416580.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , H10K50/115 , H10K59/10
Abstract: 本发明涉及量子点复合物、制备其的方法和包括其的显示装置。实施方式提供了量子点复合物，包括量子点和键合至量子点的表面的多个极性配体，其中多个极性配体包括：包括第一酸官能团的第一配体、包括与第一酸官能团不同的第二酸官能团的第二配体和包括硫醇基的第三配体，其中基于多个极性配体的总重，多个极性配体中含有的第一配体和第二配体的总和在按重量计40％至按重量计45％的范围内，并且基于多个极性配体的总重，多个极性配体中第三配体的含量在按重量计15％至按重量计20％的范围内。
-
公开(公告)号：CN116590017A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310026193.7
申请日：2023-01-09
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 提供一种量子点的制备方法、根据该方法制备的量子点以及包括其的电子装置，包括如下步骤：第一步骤，制备包括含第一元素的前体的第一溶液；第二步骤，通过混合所述第一溶液、含第二元素的前体以及含第三元素的前体来制备第二溶液；以及第三步骤，加热所述第二溶液以形成核，其中，所述含第一元素的前体和所述含第二元素的前体彼此独立地包括碳原子，所述含第一元素的前体的碳原子数大于所述含第二元素的前体的碳原子数，其中，所述第一元素包括III族元素，但不包括镓(Ga)，所述第二元素包括镓(Ga)，所述第三元素包括V族元素。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.028 seconds)
