公开(公告)号：CN109491616B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201811354988.6

申请日：2018-11-14

Applicant: 三星(中国)半导体有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 夏巍 ,  杨攀 ,  金东建

IPC: G06F3/06

Abstract: 本发明提供一种数据的存储方法和设备，该存储方法包括：获取存储设备的各个逻辑区块在当前时刻之前的预定数量的历史时段的读写数据信息，根据各个逻辑区块在当前时刻之前的预定数量的历史时段的读写数据信息以及数据预测模型预测各个逻辑区块在下一时段的读写数据信息；根据预测的各个逻辑区块在所述下一时段的读写数据信息确定各个逻辑区块在所述下一时段的物理存储区域；在所述下一时段，当接收到写入请求时，将写入请求对应的数据写入到写入请求对应的逻辑区块在所述下一时段的物理存储区域。根据本发明，能够延长存储设备的使用寿命，提升读写性能，从而降低整体的TCO。

公开(公告)号：CN109491616A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811354988.6

申请日：2018-11-14

Applicant: 三星(中国)半导体有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 夏巍 ,  杨攀 ,  金东建

IPC: G06F3/06

Abstract: 本发明提供一种数据的存储方法和设备，该存储方法包括：获取存储设备的各个逻辑区块在当前时刻之前的预定数量的历史时段的读写数据信息，根据各个逻辑区块在当前时刻之前的预定数量的历史时段的读写数据信息以及数据预测模型预测各个逻辑区块在下一时段的读写数据信息；根据预测的各个逻辑区块在所述下一时段的读写数据信息确定各个逻辑区块在所述下一时段的物理存储区域；在所述下一时段，当接收到写入请求时，将写入请求对应的数据写入到写入请求对应的逻辑区块在所述下一时段的物理存储区域。根据本发明，能够延长存储设备的使用寿命，提升读写性能，从而降低整体的TCO。

公开(公告)号：CN119557240A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411676626.4

申请日：2024-11-21

Applicant: 三星(中国)半导体有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 耿磊 ,  杨攀 ,  何兴 ,  李乐远 ,  曺成铉 ,  咸志勳

IPC: G06F12/0862

Abstract: 提供一种数据预取方法及装置。该数据预取方法包括：获取预取时间窗口内针对存储装置的读请求的参数，其中，所述读请求的参数包括所述读请求的特征和所述读请求的逻辑区块地址信息；根据所述读请求的特征，确定针对所述存储装置的后续读请求的预取数量；根据所述读请求的逻辑区块地址信息，确定所述后续读请求的所述预取数量个预取堆块地址；对所述存储装置的所述预取数量个所述预取堆块地址的数据进行预取。

公开(公告)号：CN119558373A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411675820.0

申请日：2024-11-21

Applicant: 三星(中国)半导体有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 杨安喆 ,  杨攀 ,  李乐远 ,  曺成铉 ,  咸志勳

IPC: G06N3/08 ,  G06N3/063 ,  G06F12/0862 ,  G06F12/0866

Abstract: 本公开提供一种用于深度学习的优化方法、主机设备和PNM设备。用于深度学习的优化方法包括：在深度学习的每个周期，从PNM设备的PNM内存加载第n批数据进行深度学习训练以获得与第n批数据中的每个数据对应的损失值和置信度分数中的至少一者，其中，n是大于等于1的正整数；将与第n批数据中的每个数据对应的损失值和置信度分数中的至少一者向PNM设备传递，其中，第n批数据至少包括PNM内存从PNM设备的PNM存储器或PNM设备外部的存储器预取的数据。