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公开(公告)号：CN110412081B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201910641473.2
申请日：2019-07-16
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种稀土（RE）‑过渡族金属（TM）合金中非共线反铁磁耦合原子磁矩间夹角测量方法，通过测量由两层RE‑TM磁性层组成的自旋阀的磁电阻角分辨谱，来测定RE‑TM非共线反铁磁耦合原子磁矩之间的夹角；由两层RE‑TM磁性层与中间非磁性金属间隔层构成的自旋阀，对其磁电阻进行角分辨谱测量方法。本发明通过测量由双层RE‑TM磁性层构成的钉扎型自旋阀磁电阻的角分辨谱，来确定RE‑TM合金中非共线反铁磁耦合原子磁矩之间的夹角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110412081A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910641473.2
申请日：2019-07-16
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种稀土（RE）-过渡族金属（TM）合金中非共线反铁磁耦合原子磁矩间夹角测量方法，通过测量由两层RE-TM磁性层组成的自旋阀的磁电阻角分辨谱，来测定RE-TM非共线反铁磁耦合原子磁矩之间的夹角；由两层RE-TM磁性层与中间非磁性金属间隔层构成的自旋阀，对其磁电阻进行角分辨谱测量方法。本发明通过测量由双层RE-TM磁性层构成的钉扎型自旋阀磁电阻的角分辨谱，来确定RE-TM合金中非共线反铁磁耦合原子磁矩之间的夹角。
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公开(公告)号：CN110212086B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201910399379.0
申请日：2019-05-14
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种面内磁化反铁磁磁随机存储器存储单元，它包括反铁磁层、重金属层以及与重金属层连接的第一组端点以及第二组端点，第一组端点用于连接脉冲电流源，第二组端点用于连接电压源，反磁铁层的磁化状态为面内磁化。本发明目的是为了进一步提高传统磁存储器的磁矩翻转速度和存储稳定性，而提供一种基于面内磁化的铁磁材料的存储器单元。
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公开(公告)号：CN110224057A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910402222.9
申请日：2019-05-14
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种垂直磁化反铁磁磁随机存储器存储单元，它包括反铁磁层、重金属层、以及与重金属层连接的第一组端点以及第二组端点，第一组端点用于连接脉冲电流源，第二组端点用于连接电压源。本发明目的是为了进一步提高传统磁存储器的磁矩翻转速度和存储稳定性，而提供一种基于反铁磁材料的存储器单元。
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公开(公告)号：CN110212086A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910399379.0
申请日：2019-05-14
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种面内磁化反铁磁磁随机存储器存储单元，它包括反铁磁层、重金属层以及与重金属层连接的第一组端点以及第二组端点，第一组端点用于连接脉冲电流源，第二组端点用于连接电压源，反磁铁层的磁化状态为面内磁化。本发明目的是为了进一步提高传统磁存储器的磁矩翻转速度和存储稳定性，而提供一种基于面内磁化的铁磁材料的存储器单元。
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