公开(公告)号：CN115160620B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202210750024.3

申请日：2022-06-29

Applicant: 三峡大学

Inventor： 杨雄波 ,  耿嘉林 ,  谭新玉 ,  齐贵广 ,  涂伊滕 ,  姚曙民 ,  刘萌 ,  聂仕晋

IPC: C08J7/06 ,  C08J5/18 ,  C08L83/04 ,  C08L27/18 ,  C08L29/04 ,  C08L27/16 ,  C09K5/14

Abstract: 本发明提供了一种双层结构辐射制冷薄膜及其制备方法和应用。该薄膜包括底部的聚二甲基硅氧烷膜层，聚二甲基硅氧烷膜层上均匀分布有疏水改性的高岭土粉末层，底层与上层的用量比为5:1~3。本发明还公开了该薄膜及其制备方法和应用，底层膜具有低表面能性质，化学性质稳定，借助改性高岭土的疏水性能，为薄膜的疏水性和耐候性及使用寿命提供了保证；使得薄膜具有较好的辐射制冷效果，且制备工艺简单，能够工业化生产。

公开(公告)号：CN115160620A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210750024.3

申请日：2022-06-29

Applicant: 三峡大学

Inventor： 杨雄波 ,  耿嘉林 ,  谭新玉 ,  齐贵广 ,  涂伊滕 ,  姚曙民 ,  刘萌 ,  聂仕晋

IPC: C08J7/06 ,  C08J5/18 ,  C08L83/04 ,  C08L27/18 ,  C08L29/04 ,  C08L27/16 ,  C09K5/14

Abstract: 本发明提供了一种双层结构辐射制冷薄膜及其制备方法和应用。该薄膜包括底部的聚二甲基硅氧烷膜层，聚二甲基硅氧烷膜层上均匀分布有疏水改性的高岭土粉末层，底层与上层的用量比为5:1~3。本发明还公开了该薄膜及其制备方法和应用，底层膜具有低表面能性质，化学性质稳定，借助改性高岭土的疏水性能，为薄膜的疏水性和耐候性及使用寿命提供了保证；使得薄膜具有较好的辐射制冷效果，且制备工艺简单，能够工业化生产。