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公开(公告)号：CN118348379A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410515230.5
申请日：2024-04-26
Applicant: 三峡大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种GaN功率器件栅极加速老化系统，包括采用电热耦合式的GaN功率器件栅极加速老化系统，该系统包括恒压源、GaN驱动电路、热电偶、电阻R1、微处理器、温度采集模块；所述恒压源的正极连接电阻R1一端，电阻R1另一端连接GaN功率器件的漏极D，恒压源的负极连接GaN功率器件的源极S；所述GaN驱动电路连接GaN功率器件的栅极；所述GaN驱动电路连接微处理器，微处理器连接温度采集模块，温度采集模块连接热电偶一端，热电偶另一端连接GaN功率器件的TPAD端。本发明系统能够同时对GaN器件施加电应力和温度应力，以实现不同应力条件下的高温栅极加速老化实验。
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