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公开(公告)号：CN116948503A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310738120.0
申请日：2023-06-20
Applicant: 三峡大学
IPC: C09D175/02 , C09D7/62 , B05D3/10
Abstract: 本发明公开了一种高电气强度的聚脲基防污闪新材料的制备方法。该方法通过微纳米二氧化硅改性聚脲弹性体从而获得一种高体积电阻率、高介电强度、低介电常数，低介质损耗的复合材料，在沿面闪络试验中表现突出。该制备方法首先将带氨基的硅烷偶联剂将不同粒径比例的微纳米SiO2进行改性；然后将异氰酸酯预聚物与改性SiO2进行化学接枝，再引入聚脲树脂。固化成膜后将样品在疏水改性液中浸泡后烘干，制得具有高电气强度的防污闪性能的改性聚脲。该发明通过引入不同粒径的微纳米SiO2提高了复合涂层的润湿性能，使该涂层具有较好的电气强度和机械性能，在绝缘子闪络试验中发现其闪络电压较高，扩大了聚脲在电气领域的应用范围。
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