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公开(公告)号：CN115579070A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202111519697.X
申请日：2021-12-13
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明提供了一种从硅橡胶分子单链电荷陷阱特性的改变探讨对沿面放电影响的方法，先利用量子化学软件Gaussian 09建立硅橡胶(MVQ)分子单链近似模型，然后对建立的分子模型进行结构优化，得到模型的最低能量稳定结构，再在垂直于分子单链方向施加外电场，计算MVQ分子单链的基态与激发态数据，最后利用波函数分析软件Multiwfn计算并分析MVQ分子单链的结构特性、偶极矩、轨道能级、静电势、电荷分布以及激发态性质，得到陷阱分布位置以及电荷输运机制。本发明通过分析硅橡胶绝缘介质的电荷运动特性与陷阱的形成，能够有效区别电子、空穴陷阱，由此法可分析常见气‑固界面处的固体聚合物绝缘材料的陷阱分布，具有微观分析结果精确、方法简单、可重复性高的优点。
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