公开(公告)号：CN100372639C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200510082650.6

申请日：2005-07-06

Applicant: 三井化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 山崎正人 ,  光石健之 ,  原田功 ,  田中将夫 ,  春田浩一 ,  渡利广司 ,  邱进宇 ,  堀田裕司 ,  佐藤公泰

IPC: B22F9/22

Abstract: 本发明涉及制造在低于或等于1600℃的温度也可以制成烧结体的氮化铝粉末，获得密度和热传导率高、可以适用于基板材料的氮化铝烧结体。使用如图1所示气相反应装置，反应器(2)由加热带(1)进行加热并保持在300～500℃，一边由流量调节计(3)调节，一边通过供给管(4)向反应器(2)导入氨气，同时，一边通过流量调节计(5)调节，一边通过供应管(6)导入含有机铝化合物的氮气，从而得到氮化铝粉末。将其在还原性气体氛围和/或惰性气体氛围中在1100～1500℃进行热处理，对所得到氮化铝凝集粉末再经机械处理，成为比表面积值大于等于30m2/g、且平均粒子粒径与比表面积换算的粒子粒径的比率小于等于10的氮化铝粉末。

公开(公告)号：CN1718331A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200510082650.6

申请日：2005-07-06

Applicant: 三井化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 山崎正人 ,  光石健之 ,  原田功 ,  田中将夫 ,  春田浩一 ,  渡利广司 ,  邱进宇 ,  堀田裕司 ,  佐藤公泰

IPC: B22F9/22

Abstract: 本发明涉及制造在低于或等于1600℃的温度也可以制成烧结体的氮化铝粉末，获得密度和热传导率高、可以适用于基板材料的氮化铝烧结体。使用如图1所示气相反应装置，反应器(2)由加热带(1)进行加热并保持在300～500℃，一边由流量调节计(3)调节，一边通过供给管(4)向反应器(2)导入氨气，同时，一边通过流量调节计(5)调节，一边通过供应管(6)导入含有机铝化合物的氮气。从而得到氮化铝粉末。将其在还原性气体氛围和/或惰性气体氛围中在1100～1500℃进行热处理，对所得到氮化铝凝集粉末再经机械处理，成为比表面积值大于等于30m2/g、且平均粒子粒径与比表面积换算的粒子粒径的比率小于等于10的氮化铝粉末。