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公开(公告)号：CN1411037A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02143541.3
申请日：2002-09-27
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , H01L2221/68327
Abstract: 以提供一种具有优良密合性、防破损性和非污染性的半导体晶片表面保护用粘结膜为目的，提供了一种半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于：在基材膜的一个表面上设置至少一层中间层，和粘结剂层，粘结剂层(B)在50～100℃下的储藏弹性模数(G’)最小值(G’min)为0.07～5MPa，中间层的至少一层(C)50℃下的储藏弹性模数在0.001MPa以上和0.07MPa以下，而且粘结剂层(B)的厚度(tb，单位：微米)与具有上述弹性模数的中间层(C)的总厚度(tc，单位：微米)满足下述关系式(1)：tc≥3 tb…(1)。
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公开(公告)号：CN1222017C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN02143541.3
申请日：2002-09-27
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , H01L2221/68327
Abstract: 以提供一种具有优良密合性、防破损性和非污染性的半导体晶片表面保护用粘结膜为目的，提供了一种半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于：在基材膜的一个表面上设置至少一层中间层，和粘结剂层，粘结剂层(B)在50～100℃下的储藏弹性模数(G’)最小值(G’min)为0.07～5MPa，中间层的至少一层(C)50℃下的储藏弹性模数在0.001MPa以上和0.07MPa以下，而且粘结剂层(B)的厚度(tb，单位：微米)与具有上述弹性模数的中间层(C)的总厚度(tc，单位：微米)满足下述关系式(1)：tc≥3tb…(1)。
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公开(公告)号：CN1643657A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806441.3
申请日：2003-03-26
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , H01L2221/68327 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明的半导体晶片表面保护用粘结膜在基体材料膜的单侧表面上形成粘结剂层，该粘结剂层含有：100重量份的具有可与交联剂反应的官能团、动态粘弹性的tanδ成为最大的温度(Ta)在－50～5℃的聚合物(A)；10～100重量份的具有可与交联剂反应的官能团、动态粘弹性的tanδ成为最大的温度(Tb)大于5℃，小于等于50℃的聚合物(B)；和相对于100重量份的上述(A)及(B)的合计量的0.1～10重量份的在1个分子中具有2个或2个以上的交联反应性官能团的交联剂(C)，所述粘结剂层的厚度是5～50μm，该半导体晶片表面保护用粘结膜具有优良的粘合性、防止破损性和非污染性。
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公开(公告)号：CN100334690C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN03806441.3
申请日：2003-03-26
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , H01L2221/68327 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明的半导体晶片表面保护用粘结膜在基层材料膜的单侧表面上形成粘结剂层，该粘结剂层含有：：100重量份的具有可与交联剂反应的官能团、动态粘弹性的tanδ成为最大的温度(Ta)在一50～5℃的聚合物(A)；10～100重量份的具有可与交联剂反应的官能团、动态粘弹性的tanδ成为最大的温度(Tb)大于5℃，小于等于50℃的聚合物(B)；和相对于100重量份的上述(A)及(B)的合计量的0.1～10重量份的在1个分子中具有2个或2个以上的交联反应性官能团的交联剂(C)，所述粘结剂层的厚度是5～50μm，该半导体晶片表面保护用粘结膜具有优良的粘合性、防止破损性和非污染件。
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