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公开(公告)号：CN1700411A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510068159.8
申请日：2005-04-27
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y10T428/28 , Y10T428/2809
Abstract: 本发明提供一种即使是半导体晶片被薄层化至厚度小于等于200μm的情况，也能够防止其破损的半导体晶片表面保护膜及使用该保护膜的半导体晶片的保护方法。本发明的半导体晶片表面保护用粘接膜，其为在基材膜的单表面形成有粘着剂层的半导体晶片表面保护用粘接膜，其特征在于，该基材膜含有贮存弹性模量在20℃～180℃温度范围内为1×107Pa～1×109Pa的层(A)。
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