公开(公告)号：CN1663087A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN03815009.3

申请日：2003-06-27

Applicant: 古河电气工业株式会社 ,  三井化学株式会社

Inventor： 大枝靖雄 ,  室清文 ,  大久保典雄

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/20 ,  H01S5/2004

Abstract: 在n型衬底(1)上，依次层叠了n型包层(2)、n型波导层(3)、n型载流子阻挡层(4)、激活层(5)、p型载流子阻挡层(6)、p型波导层(7)。在p型波导层(7)内部，在除去了长度方向与光出射方向平行的带状的一部分区域以外的部分上，配置了n型阻流层(8)。在p型波导层(7)上，依次层叠了p型包层(9)、p型接触层(10)、p侧电极(11)。在n型衬底(1)的底面上，配置了n侧电极(12)。此外，对从外部入射的光的波长，n型包层(2)的折射率具有与有效折射率相等的值；而对出射波长的光，n型包层(2)及p型包层(9)具有比有效折射率低的折射率。

公开(公告)号：CN1121084C

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN98122371.0

申请日：1998-11-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 内藤由美 ,  大枝靖雄 ,  藤本毅

IPC: H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3432

Abstract: 光导层形分别形成在有源层的两个表面上，其光导层具有比有源层的带隙宽的带隙，分别形成n型包层和p型包层，从而将有源层和光导层夹在它们之间，包层的带隙比光导层的带隙宽，载流子阻挡层分别形成在有源层和光导层之间，载流子阻挡层的带隙比有源层和光导层的带隙宽。p型包层的折射率比n型包层的折射率低。采用这种结构，由于自由载流子吸收减小，以及半导体激光器的电阻和热阻减小，使得内部损耗限制到较低的值，结果提高了激光器的效率和输出功率。

公开(公告)号：CN1218319A

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN98122371.0

申请日：1998-11-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 内藤由美 ,  大枝靖雄 ,  藤本毅

IPC: H01S3/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3432

Abstract: 光导层形分别形成在有源层的两个表面上,其光导层具有比有源层的带隙宽的带隙,分别形成n型包层和p型包层,从而将有源层和光导层夹在它们之间,包层的带隙比光导层的带隙宽,载流子阻挡层分别形成在有源层和光导层之间,载流子阻挡层的带隙比有源层和光导层的带隙宽。p型包层的折射率比n型包层的折射率低。采用这种结构,由于自由载流子吸收减小,以及半导体激光器的电阻和热阻减小,使得内部损耗限制到较低的值,结果提高了激光器的效率和输出功率。

公开(公告)号：CN1198029A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98108900.3

申请日：1998-03-27

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 五十岚康一 ,  大枝靖雄 ,  室清文

IPC: H01S3/25

CPC classification number: G02B27/12 ,  G02B6/4206 ,  G02B6/425 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0057 ,  G02B27/123 ,  H01S3/005 ,  H01S5/005 ,  H01S5/4031

Abstract: 半导体激光源,包括:发射激光束的半导体激光器矩阵,其偏振平面相互平行,其两个垂直方向中的发散角θz和θx满足不等式θz>θx;按发散角θz的减小方向会聚由半导体激光器矩阵发射的激光束的圆柱形透镜;控制偏振方向使穿过圆柱形透镜的激光束的偏振平面相互成90度的波板;利用折射效应合并穿过波板的激光束的光路的折射光学元件;和按发散角θx减小方向会聚由折射光学元件合并的激光束的光发射表面。因此,能大大提高激光束的合并效率和激光束连接到随后的光学系统的效率。