公开(公告)号：CN100339948C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN03806324.7

申请日：2003-03-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 才本芳久 ,  片冈真 ,  宫川诚史 ,  早川慎一 ,  五十岚康二

IPC: H01L21/02 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/67132 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/128 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T428/2848

Abstract: 本发明涉及一种半导体晶圆表面保护用粘合薄膜及使用该粘合薄膜的半导体晶圆保护方法。所述半导体晶圆表面保护用粘合薄膜在熔点至少为200℃、厚度为10～200μm的基材薄膜表里两面形成了150℃下的储能模量至少为1×105Pa、厚度为3～100μm的粘合剂层。根据本发明，在进行半导体晶圆背面研削及除去在背面生成的破碎层等处理的过程中，即使在半导体晶圆被薄层化至厚度为100μm或100μm以下的情况下，也可以防止半导体晶圆的破损及污染等。

公开(公告)号：CN1643098A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03806324.7

申请日：2003-03-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 才本芳久 ,  片冈真 ,  宫川诚史 ,  早川慎一 ,  五十岚康二

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67132 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/128 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T428/2848

Abstract: 本发明涉及一种半导体晶圆表面保护用粘合薄膜及使用该粘合薄膜的半导体晶圆保护方法。所述半导体晶圆表面保护用粘合薄膜在熔点至少为200℃、厚度为10～200μm的基材薄膜表里两面形成了150℃下的储能模量至少为1×105Pa、厚度为3～100μm的粘合剂层。根据本发明，在进行半导体晶圆背面研削及除去在背面生成的破碎层等处理的过程中，即使在半导体晶圆被薄层化至厚度为100μm或100μm以下的情况下，也可以防止半导体晶圆的破损及污染等。

公开(公告)号：CN100392811C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200480024999.8

申请日：2004-08-31

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 才本芳久 ,  片冈真 ,  五十岚康二 ,  早川慎一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  C09J7/02

Abstract: 本发明涉及防止半导体晶片在金属制膜时的金属非制膜面的损伤，还能够减少晶片表面污染的粘接膜。通过用在至少层叠1层气体透过度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜的基材膜的单表面形成有粘接剂层的粘接膜，保护金属非制膜面，可以省却使用溶剂的清洗工序，进而还可以减少金属非制膜面的污染性，提高生产率和作业性。

公开(公告)号：CN1846295A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200480024999.8

申请日：2004-08-31

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 才本芳久 ,  片冈真 ,  五十岚康二 ,  早川慎一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  C09J7/02

Abstract: 本发明涉及防止半导体晶片在金属制膜时的金属非制膜面的损伤，还能够减少晶片表面污染的粘接膜。通过用在至少层叠1层气体透过度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜的基材膜的单表面形成有粘接剂层的粘接膜，保护金属非制膜面，可以省却使用溶剂的清洗工序，进而还可以减少金属非制膜面的污染性，提高生产率和作业性。