一种采用流化床反应器进行有机卤硅烷单体合成的方法

    公开(公告)号:CN111718368A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010567380.2

    申请日:2020-06-19

    Abstract: 本发明提供一种采用流化床反应器进行有机卤硅烷单体合成的方法,通过该方法可以在现有流化床反应器制备有机卤硅烷单体工艺基础上,对硅粉表面进行持续研磨更新,提高硅粉的利用率并提高反应选择性。本发明采用流化床反应器进行有机卤硅烷单体合成的方法其中卤代烃和硅粉在铜催化剂和任选的助催化剂的存在下于流化床反应器内反应合成所述有机卤硅烷单体,在所述流化床反应器内加入惰性研磨剂,且使所述惰性研磨剂与所述流化床反应器内的所述硅粉进行流化接触;其中,所述惰性研磨剂的粒度分布范围在40-900微米,并且所述惰性研磨剂的粒度分布呈宽筛分分布,分布跨度大于1.0。

    一种采用流化床反应器进行有机卤硅烷单体合成的方法

    公开(公告)号:CN111718368B

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202010567380.2

    申请日:2020-06-19

    Abstract: 本发明提供一种采用流化床反应器进行有机卤硅烷单体合成的方法,通过该方法可以在现有流化床反应器制备有机卤硅烷单体工艺基础上,对硅粉表面进行持续研磨更新,提高硅粉的利用率并提高反应选择性。本发明采用流化床反应器进行有机卤硅烷单体合成的方法其中卤代烃和硅粉在铜催化剂和任选的助催化剂的存在下于流化床反应器内反应合成所述有机卤硅烷单体,在所述流化床反应器内加入惰性研磨剂,且使所述惰性研磨剂与所述流化床反应器内的所述硅粉进行流化接触;其中,所述惰性研磨剂的粒度分布范围在40‑900微米,并且所述惰性研磨剂的粒度分布呈宽筛分分布,分布跨度大于1.0。

    用于有机硅流化床的气体分布器和有机硅流化床反应器

    公开(公告)号:CN111569790A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010438987.0

    申请日:2020-05-22

    Abstract: 本发明提供一种用于有机硅流化床的气体分布器和有机硅流化床反应器,在有机硅流化床中采用本发明提供的气体分布器,利于消除边壁区的堆积死区,同时还能促进颗粒剪切和碰撞,进而实现颗粒的表面更新,提升流化床内的反应活性。本发明提供的用于有机硅流化床的气体分布器,包括气体分布板和颗粒导流装置,其中,所述气体分布板分为中心区和位于中心区外围的边壁区,所述中心区分布有多个竖直气孔;在所述边壁区安装有所述颗粒导流装置,所述颗粒导流装置用于吸入沉积在所述边壁区的颗粒并将其以水平方向或大致呈水平方向喷射至所述气体分布板上方,且至少喷射至所述中心区的上方。

    用于有机硅流化床的气体分布器和有机硅流化床反应器

    公开(公告)号:CN111569790B

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202010438987.0

    申请日:2020-05-22

    Abstract: 本发明提供一种用于有机硅流化床的气体分布器和有机硅流化床反应器,在有机硅流化床中采用本发明提供的气体分布器,利于消除边壁区的堆积死区,同时还能促进颗粒剪切和碰撞,进而实现颗粒的表面更新,提升流化床内的反应活性。本发明提供的用于有机硅流化床的气体分布器,包括气体分布板和颗粒导流装置,其中,所述气体分布板分为中心区和位于中心区外围的边壁区,所述中心区分布有多个竖直气孔;在所述边壁区安装有所述颗粒导流装置,所述颗粒导流装置用于吸入沉积在所述边壁区的颗粒并将其以水平方向或大致呈水平方向喷射至所述气体分布板上方,且至少喷射至所述中心区的上方。

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