公开(公告)号：CN116695252A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310176260.3

申请日：2023-02-28

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所

Inventor： 堀合慧祥 ,  冈本武志 ,  神田贵裕 ,  星乃纪博 ,  别役洁 ,  镰田功穂 ,  土田秀一 ,  金村高司

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 一种碳化硅单晶(6)的制造方法包括：向籽晶(5)的表面供应含有碳化硅原料气体的供应气体(3a)并控制环境使得加热容器内的至少一部分为2500℃或更高，由此在籽晶的表面上生长碳化硅单晶。生长碳化硅单晶包括控制以籽晶和碳化硅单晶的中心轴线(C)为中心的径向上的温度分布ΔT，使得在碳化硅单晶生长之前籽晶的表面上和在碳化硅单晶生长期间碳化硅单晶的生长表面上满足ΔT≤10℃的径向温度条件。

公开(公告)号：CN117822118A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311279562.X

申请日：2023-09-28

Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 ,  未来瞻科技株式会社 ,  株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 别役洁 ,  星乃纪博 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  冈本武志 ,  神田贵裕

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/02

Abstract: [课题]本发明提供能够抑制贯通刃型位错被转变成棱柱面位错以及棱柱面位错被转变成基底面位错的碳化硅单晶的制造方法、以及碳化硅单晶锭和碳化硅晶片。[解决手段]利用气体法使碳化硅单晶在种基板的表面生长时，以种基板的矢径方向上的温度梯度成为规定温度以下的方式，使碳化硅单晶生长。基底面之中的超过临界分切应力的区域R1‑R3与棱柱面之中的超过临界分切应力的区域S1‑S4发生重叠的区域T1‑T4的面积小于晶体生长面的面积的一半。进而，区域T1‑T4的面积小于基底面之中的不超过临界分切应力的区域R4与区域S1‑S4发生重叠的区域V1‑V4。

公开(公告)号：CN116265626A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211612081.1

申请日：2022-12-15

Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 ,  未来瞻科技株式会社 ,  株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 镰田功穗 ,  星乃纪博 ,  别役洁 ,  土田秀一 ,  冈本武志 ,  堀合慧祥

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供：在封闭籽晶中的微管的同时减少了螺旋位错的聚集的碳化硅铸锭、其制造方法和碳化硅晶片的制造方法。一种碳化硅铸锭，其具备：由碳化硅单晶构成、且具有作为中空缺陷的微管(5)的籽晶(2)；设于籽晶(2)上的由碳化硅构成的缓冲层(3)；以及设于缓冲层(3)上的由碳化硅构成的块状晶体生长层(4)，缓冲层(3)和块状晶体生长层(4)具有延续至被缓冲层(3)封闭的微管(5)的多个螺旋位错(6)，在块状晶体生长层(4)中共用微管(5)的多个螺旋位错(6)彼此的间隔为150μm以上。