公开(公告)号：CN119790663A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202280099938.6

申请日：2022-10-25

Applicant: XO半导体有限公司

Inventor： 蔡瑛澈 ,  朴秉哲

IPC: H04N25/74 ,  H10F30/225 ,  H10F77/00

Abstract: 根据本公开的一实施例，基于单光子雪崩二极管的图像传感器可以包括：单光子雪崩二极管（SPAD，Single Photon Avalanche Diode），生成与预定的曝光时间期间接收的多个光子中的各光子对应的多个脉冲；前端电路，接收多个脉冲中的在曝光时间内的部分时间期间接收的脉冲组；以及计数器，对脉冲组中的脉冲的个数进行计数。部分时间的终点基于对脉冲组中的脉冲的个数进行计数的计数器的溢出时间点。

公开(公告)号：CN119948885A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202280100212.X

申请日：2022-12-22

Applicant: XO半导体有限公司

Inventor： 蔡瑛澈 ,  朴秉哲

IPC: H04N25/76 ,  H10F30/225 ,  H10F77/00

Abstract: 根据本公开的一实施例，基于单光子雪崩二极管的图像传感器可以包括：单光子雪崩二极管（SPAD，Single Photon Avalanche Diode），生成与预定的曝光时间期间接收的多个光子中的各光子对应的多个脉冲；前端电路，接收多个脉冲中的在曝光时间内的部分时间期间接收的脉冲组；计数器，对脉冲组中的脉冲的个数进行计数；以及全局时钟，从部分时间之后开始向前端电路提供多个时钟脉冲；利用单光子雪崩二极管来获取的图像的画质可基于全局时钟的时序来确定。

公开(公告)号：CN119137970A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202280093828.9

申请日：2022-10-25

Applicant: XO半导体有限公司

Inventor： 蔡瑛澈 ,  朴秉哲

IPC: H04N25/53 ,  H04N25/75 ,  H01L31/02

Abstract: 本发明的图像传感器可以包括：SPAD阵列，包括一个以上的SPAD元件；多路转换器，用于接收从所述SPAD阵列输出的信号；控制器，向所述多路转换器传送模式设定信号；以及第一计数器以及第二计数器，基于所述SPAD阵列输出的信号来输出数字信号。所述多路转换器可以根据所述模式设定信号来变更所述第一计数器以及所述第二计数器的连接关系。