-
公开(公告)号：CN117836241A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280056508.6
申请日：2022-10-07
Applicant: SEC炭素株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 熔盐电化学技术开发株式会社
IPC: C01B32/205 , H01M4/133 , H01M4/583 , H01M4/587 , H01M10/052 , H01M10/054 , H01M10/0566 , H01M10/0585
Abstract: 提供一种石墨粒子，可将二氧化碳作为原料，并可以作为电极材料利用。石墨粒子中，基于由粉末X射线衍射法测量的晶格面(002)所对应的衍射峰的晶面间距d002为0.3355nm以上且0.3370nm以下，一次粒径为50nm以上且500nm以下，将个数基准的粒径分布的累计值为50％的值(平均粒径)作为二次粒径(d50)，二次粒径(d50)为0.15μm以上且1.6μm以下，根据77K下的氮吸附量求得的比表面积(BET)为10m2/g以上且400m2/g以下。
-
公开(公告)号：CN117083422A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280023631.8
申请日：2022-01-18
Applicant: SEC炭素株式会社
Inventor： 盐见弘
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明提供SiC单晶生长装置及SiC晶体生长方法，其能够减少晶种的温度分布的偏差、晶种的变形、损伤，由此使缺陷、裂纹较少的SiC单晶生长。SiC单晶生长装置(1)包括：加热容器(10)，其在由筒状的侧周部分(14)划分形成的内部空间(S)的上下部分中的任一个部分(例如底部(13))具有供由SiC构成的固体原料(M(s))收纳的原料收纳部(12)，在位于与该一个部分相对的位置的另一个部分(例如盖部(16))具有供SiC的晶种(2)安装的基座部(17)；以及加热部件(3)，其对固体原料(M(s))进行加热，晶种(2)隔着具有导热系数的各向异性的第1各向异性片材(41)安装于基座部(17)，就第1各向异性片材(41)而言，片材的面内方向(x)的导热系数较大，片材的厚度方向(y)的导热系数较小。
-
公开(公告)号：CN117836468A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280056671.2
申请日：2022-10-07
Applicant: SEC炭素株式会社 , 熔盐电化学技术开发株式会社
IPC: C25B1/135 , C01B32/205 , C25B9/09 , C25B9/17 , C25B9/63
Abstract: 提供一种石墨粒子的制造方法，可以将二氧化碳作为原料，并可以作为电极材料利用。石墨粒子的制造方法，包括如下步骤：(a)准备包含含有碳酸根离子的熔融盐的电解浴的步骤；(b)在电解浴的外部，将阴极配置在电解浴的表面附近的步骤；(c)在电解浴中配置阳极的步骤；(d)在阴极与电解浴表面之间产生放电而还原碳酸根离子，并在阳极与阴极之间施加用于生成碳粒子的电压而进行通电的步骤；(e)将碳粒子与熔融盐一起回收，通过水洗除去冷却·凝固后的盐的步骤；(f)通过热处理，使步骤(e)中得到的碳粒子石墨化的步骤。
-
公开(公告)号：CN116867933A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202280011111.5
申请日：2022-01-17
Applicant: SEC炭素株式会社
Inventor： 盐见弘
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种SiC单晶生长装置，其能够对固体原料均匀地进行加热而使其升华为气体原料，并且能够减少使SiC单晶生长时的原料的浪费。SiC单晶生长装置(1)包括：加热容器(10)，其具有原料收纳部(12)和晶种安装部(16)，原料收纳部(12)在由筒状的侧周部分(14)划分形成的内部空间(S)的局部收纳有由SiC构成的固体原料(M(s))，在原料收纳部(12)的内部空间(S)的未收纳固体原料(M(s))的一侧具有晶种安装部(16)，该晶种安装部供SiC的晶种(2)配置；以及加热部件(3)，其对加热容器(10)进行加热，加热部件(3)具有第1加热部(31)，该第1加热部(31)具有第1加热面(31a)，该第1加热面相对于处于加热容器(10)的外表面侧且是原料收纳部(12)的与晶种安装部(16)相对的主面部分而言以覆盖该主面部分的整个外表面的位置关系与该主面部分相对配置，在将内部空间(S)的圆形切片面积设为A并将第1加热面(31a)的面积设为B时，满足B/A≥2的关系。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107207256B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201680006693.2
申请日：2016-01-20
Applicant: SEC炭素株式会社
IPC: C01B32/05 , C01B32/205 , F27B14/10
Abstract: 本发明制造纯度较高的碳材料。碳材料的制造方法包括以下工序：准备坩埚(10)，该坩埚(10)具有容器和盖，所述容器包括圆筒状的主体部和用于覆盖主体部的一端的底部，所述盖包括圆筒部和用于覆盖圆筒部的一端的圆板部；将原料收纳于坩埚(10)；将轴向成为水平地配置的石墨管(20)加热；以及将收纳有原料的坩埚(10)以其主体部的轴向成为与石墨管(20)的轴向平行的方式装入石墨管(20)的内部。在主体部的外周面形成有外螺纹，在圆筒部的内周面形成有用于与外螺纹紧固的内螺纹。盖的外径与容器的外径相等，圆板部具有贯通口。
-
公开(公告)号：CN107208976A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680006717.4
申请日：2016-01-20
Applicant: SEC炭素株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够再现性良好地控制温度分布的热处理装置。热处理装置(1)具有筒状的加热器(20)、由连接于加热器(20)的两端的石墨管形成的槽(30、40)以及形成于槽(30、40)的电极(31、41)。加热器(20)包括：第1石墨管(21B)；第2石墨管(21C)，其配置为一个端面与第1石墨管(21B)的一个端面接触，并具有比第1石墨管(21B)的电阻高的电阻；以及第3石墨管(21D)，其配置为一个端面与第2石墨管(21C)的另一个端面接触，并具有比第2石墨管(21C)的电阻低的电阻。
-
公开(公告)号：CN107207256A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680006693.2
申请日：2016-01-20
Applicant: SEC炭素株式会社
IPC: C01B32/05 , C01B32/205 , F27B14/10
Abstract: 本发明制造纯度较高的碳材料。碳材料的制造方法包括以下工序：准备坩埚(10)，该坩埚(10)具有容器和盖，所述容器包括圆筒状的主体部和用于覆盖主体部的一端的底部，所述盖包括圆筒部和用于覆盖圆筒部的一端的圆板部；将原料收纳于坩埚(10)；将轴向成为水平地配置的石墨管(20)加热；以及将收纳有原料的坩埚(10)以其主体部的轴向成为与石墨管(20)的轴向平行的方式装入石墨管(20)的内部。在主体部的外周面形成有外螺纹，在圆筒部的内周面形成有用于与外螺纹紧固的内螺纹。盖的外径与容器的外径相等，圆板部具有贯通口。
-
公开(公告)号：CN118401710A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280083504.7
申请日：2022-10-13
Applicant: SEC炭素株式会社 , 联邦科学和工业研究组织
Abstract: 本发明提供一种能够简化阴极块与集电杆的连接作业的阴极组件。阴极组件(100)在铝冶炼用的电解炉中使用，其中，该阴极组件(100)包括：碳制的阴极块(10)，其设有槽(10a)；以及集电杆单元(20)，其插入到槽(10a)中，集电杆单元(20)包含：金属制的两个集电杆(21、22)，其分别具有沿着与槽(10a)相同的方向延伸的形状，且沿着槽(10a)的宽度方向排列配置；以及间隔调整构件(23)，其调整两个集电杆(21、22)的间隔，间隔调整构件(23)包含利用螺纹调整两个集电杆(21、22)的间隔的机构。
-
公开(公告)号：CN107208976B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201680006717.4
申请日：2016-01-20
Applicant: SEC炭素株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够再现性良好地控制温度分布的热处理装置。热处理装置(1)具有筒状的加热器(20)、由连接于加热器(20)的两端的石墨管形成的槽(30、40)以及形成于槽(30、40)的电极(31、41)。加热器(20)包括：第1石墨管(21B)；第2石墨管(21C)，其配置为一个端面与第1石墨管(21B)的一个端面接触，并具有比第1石墨管(21B)的电阻高的电阻；以及第3石墨管(21D)，其配置为一个端面与第2石墨管(21C)的另一个端面接触，并具有比第2石墨管(21C)的电阻低的电阻。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.01 seconds)
