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公开(公告)号：CN115280236A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180020424.2
申请日：2021-03-08
Applicant: 豪雅株式会社 , HOYA电子新加坡股份有限公司
Abstract: 本发明的目的在于提供一种掩模坯，该掩模坯容易目视辨认形成有薄膜的区域与未形成有薄膜的区域的边界，使得设置于形成薄膜的溅射装置上的掩模板的位置调整变得容易。一种掩模坯，具备基板和薄膜，其特征在于，所述基板具有两个主表面和侧面，在所述两个主表面与所述侧面之间设有倒角面，所述两个主表面中的一个主表面具有：包含该主表面的中心的内侧区域和该内侧区域的外侧的外周区域，在所述主表面的内侧区域上设有所述薄膜，所述外周区域对波长400nm～700nm的光的表面反射率Rs为10％以下，将所述薄膜的膜厚为9nm～10nm范围内的部位中的一个部位对波长400nm～700nm的光的表面反射率设为Rf时，对比度(Rf/Rs)为3.0以上。
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公开(公告)号：CN111512226A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880082414.X
申请日：2018-10-31
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子新加坡股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料，其可以在进行了EB缺陷修正的情况下抑制透光性基板的表面粗糙的发生，可以抑制相移膜的图案发生自发性蚀刻。本发明的掩模坯料中，与透光性基板相接的相移膜由包含最下层的2层以上的层叠结构构成，除最下层以外的层由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素和硅的材料形成，最下层由含有硅和氮的材料形成、或者由含有该材料和选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素的材料形成，在最下层中，用Si3N4键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键(其中，b/[a+b]＜4/7)及Si-Si键的总存在数而得到的比率为0.05以下，用SiaNb键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键及Si-Si键的总存在数而得到的比率为0.1以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110651225A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201880031374.6
申请日：2018-05-15
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子新加坡股份有限公司
Abstract: 提供一种光罩基底、转印用光罩的制造方法以及半导体设备的制造方法，在进行EB缺陷修正的情况下能够抑制透光性基板的表面粗糙的发生并且能够抑制在遮光膜的图案中发生自发性蚀刻。在透光性基板上具备用于形成转印图案的遮光膜，遮光膜通过由硅元素和氮元素组成的材料形成或者通过进一步包含从准金属元素和非金属元素中选择的一种以上的元素的材料形成，将除了遮光膜的与透光性基板的界面的附近区域和遮光膜的与透光性基板位于相反侧的表层区域之外的内部区域中的Si3N4结合的存在数量除以Si3N4结合、SiaNb结合(其中，b/[a+b]＜4/7)以及Si-Si结合的总存在数量的比值为0.04以下，将遮光膜的内部区域中的SiaNb结合的存在数量除以Si3N4结合、SiaNb结合以及Si-Si结合的总存在数量的比值为0.1以上。
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公开(公告)号：CN110392747A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201880013540.X
申请日：2018-02-06
Applicant: 三井金属矿业株式会社 , HOYA株式会社 , HOYA电子新加坡股份有限公司
Abstract: 本发明的溅射靶的钼含量为3摩尔％以上且25摩尔％以下、硅含量为75摩尔％以上且97摩尔％以下。溅射靶包含硅粒子的平均粒径为2.0μm以下的硅相和硅化钼粒子的平均粒径为2.5μm以下的硅化钼相。在硅相中存在的长径为0.3μm以上的空孔的平均个数在90μm×125μm的范围内为10个以下。
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公开(公告)号：CN110651225B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201880031374.6
申请日：2018-05-15
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子新加坡股份有限公司
Abstract: 提供一种光罩基底、转印用光罩的制造方法以及半导体设备的制造方法，在进行EB缺陷修正的情况下能够抑制透光性基板的表面粗糙的发生并且能够抑制在遮光膜的图案中发生自发性蚀刻。在透光性基板上具备用于形成转印图案的遮光膜，遮光膜通过由硅元素和氮元素组成的材料形成或者通过进一步包含从准金属元素和非金属元素中选择的一种以上的元素的材料形成，将除了遮光膜的与透光性基板的界面的附近区域和遮光膜的与透光性基板位于相反侧的表层区域之外的内部区域中的Si3N4结合的存在数量除以Si3N4结合、SiaNb结合(其中，b/[a+b]＜4/7)以及Si‑Si结合的总存在数量的比值为0.04以下，将遮光膜的内部区域中的SiaNb结合的存在数量除以Si3N4结合、SiaNb结合以及Si‑Si结合的总存在数量的比值为0.1以上。
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公开(公告)号：CN111512226B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201880082414.X
申请日：2018-10-31
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子新加坡股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料，其可以在进行了EB缺陷修正的情况下抑制透光性基板的表面粗糙的发生，可以抑制相移膜的图案发生自发性蚀刻。本发明的掩模坯料中，与透光性基板相接的相移膜由包含最下层的2层以上的层叠结构构成，除最下层以外的层由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素和硅的材料形成，最下层由含有硅和氮的材料形成、或者由含有该材料和选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素的材料形成，在最下层中，用Si3N4键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键(其中，b/[a+b]＜4/7)及Si‑Si键的总存在数而得到的比率为0.05以下，用SiaNb键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键及Si‑Si键的总存在数而得到的比率为0.1以上。
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公开(公告)号：CN110392747B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201880013540.X
申请日：2018-02-06
Applicant: 三井金属矿业株式会社 , HOYA株式会社 , HOYA电子新加坡股份有限公司
Abstract: 本发明的溅射靶的钼含量为3摩尔％以上且25摩尔％以下、硅含量为75摩尔％以上且97摩尔％以下。溅射靶包含硅粒子的平均粒径为2.0μm以下的硅相和硅化钼粒子的平均粒径为2.5μm以下的硅化钼相。在硅相中存在的长径为0.3μm以上的空孔的平均个数在90μm×125μm的范围内为10个以下。
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